| 发明名称 | 集成电路结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种集成电路结构，此结构包括基底、接触窗与肖特基接触金属层。基底上已形成有重掺杂区与轻掺杂区。接触窗设置于重掺杂区上，而肖特基接触金属层则设置于轻掺杂区上，与基底构成肖特基二极管。其中，接触窗的材料与肖特基接触金属层的材料不同。 | ||
| 申请公布号 | CN101060119A | 申请公布日期 | 2007.10.24 |
| 申请号 | CN200610075487.5 | 申请日期 | 2006.04.20 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 郑朝华 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L23/532(2006.01);H01L29/872(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/329(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种集成电路结构，包括：基底，该基底上已形成有重掺杂区与轻掺杂区；接触窗，设置于该重掺杂区上；以及肖特基接触金属层，设置于该轻掺杂区上，与该基底构成肖特基二极管，其中，该接触窗的材料与该肖特基接触金属层的材料不同。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||