| 主权项 |
1.一种浆液用之添加剂组合物,其包含: 第一聚合酸盐,其包含具有第一重量平均分子量之 第一聚合酸及第一硷性物质;和 第二聚合酸盐,其包含具有第二重量平均分子量之 第二聚合酸及第二硷性物质, 其中该第一及第二聚合酸系独立地选自由聚(丙烯 酸)、聚(丙烯酸-共-马来酸)及聚(甲基乙烯基醚-交 替-马来酸)组成之群组;及其中该第一及第二硷性 物质独立地为一种选自由氢氧化钠、氢氧化钾、 氢氧化铵及硷胺化合物组成之群组的化合物。 2.如申请专利范围第1项之添加剂组合物,其中该添 加剂组合物之pH値系在约4.5至约8.8范围内。 3.如申请专利范围第1项之添加剂组合物,其中以该 第一及第二聚合酸盐总和计,该第一聚合酸盐的含 量系在约50至约95重量%范围内,而该第二聚合酸盐 的含量系在约5至约50重量%范围内。 4.如申请专利范围第1项之添加剂组合物,其中该硷 胺化合物系选自由四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧 化铵、四丙基氢氧化铵及四丁基氢氧化铵组成之 群组。 5.如申请专利范围第1项之添加剂组合物,其中该第 二重量平均分子量系比该第一重量平均分子量大 约10至约1,000倍。 6.如申请专利范围第5项之添加剂组合物,其中该第 一重量平均分子量系在约1,000至约10,000范围内,而 该第二重量平均分子量系在约10,000至约10,000,000范 围内。 7.如申请专利范围第1项之添加剂组合物,其中该第 一及第二聚合酸盐在水中系呈分散态。 8.如申请专利范围第1项之添加剂组合物,其中以重 量计,该第一聚合酸盐相对于该第二聚合酸盐之含 量比系超过1并小于100。 9.一种浆液组合物,其包含: 一种如申请专利范围第1项之添加剂组合物; 一种抛光粒子组合物;及 水。 10.如申请专利范围第9项之浆液组合物,其中该浆 液组合物之pH値系在约5.0至约8.0范围内。 11.如申请专利范围第9项之浆液组合物,其中该抛 光粒子组合物之含量系在约0.3至约20重量%范围内, 该第一与第二聚合酸盐之含量系在约0.3至约20重 量%范围内且该水之含量系在约60至约99.4重量%范 围内。 12.如申请专利范围第9项之浆液组合物,其中该抛 光粒子组合物包含抛光粒子,而且该抛光粒子系选 自由氧化矽、氧化铈、氧化锆及氧化铝组成之群 组。 13.如申请专利范围第9项之浆液组合物,其中该第 二重量平均分子量系比该第一重量平均分子量大 约10至约1,000倍。 14.一种抛光方法,其包括: 制备一种包含如申请专利范围第1项之添加剂组合 物之浆液组合物; 将该浆液组合物应用在一抛光垫表面部分上;并 令该抛光垫之该表面部分与欲加工材料一表面接 触以抛光该欲加工材料之该表面。 15.如申请专利范围第14项之方法,其中该欲加工材 料为一具有第一材料层及第二材料层之基板,该第 一及第二材料层系经过整合并由不同材料所制成 的。 16.如申请专利范围第15项之方法,其中该第一材料 层为一氮化矽层,而该第二材料层为一氧化矽层。 17.如申请专利范围第14项之方法,其中该欲加工材 料为一基板,其具有第一材料层及形成于该第一材 料层上之第二材料层。 18.如申请专利范围第17项之方法,其中该第一材料 层为一氮化矽层,而该第二材料层为一氧化矽层。 图式简单说明: 图1A-1E为截面图以解释一种利用惯用抛光方法制 造STI结构之方法; 图2为一截面图以解释一种藉由惯用抛光方法制造 STI结构期间所发生的凹陷现象; 图3为一流程图以解释一种根据本发明具体实施例 之抛光方法; 图4A及4B为截面图以解释一种图3所说明之抛光方 法; 图5为一说明氧化矽层与氮化矽层的动电位相对于 本发明添加剂组合物之pH的图形; 图6为一说明抛光选择率及抛光速率相对于本发明 浆液组合物之pH的图形; 图7为一说明含有不同本发明添加剂组合物之浆液 的抛光选择率及抛光速率图; 图8及9为说明含有不同本发明硷性物质之浆液的 抛光选择率及抛光速率图; 图10为一说明具有不同本发明添加剂组合物之浆 液的抛光选择率及抛光速率图; 图11为一显示利用一种根据本发明含有添加剂组 合物及硷性物质之浆液组合物完成抛光后所产生 的刮痕数目图; 图12为一依照添加剂组合物种类显示氮化矽层之 侵蚀深度的图形; 图13为一依照添加剂组合物种类显示氧化矽层之 侵蚀深度的图形; 图14为一依照本发明添加剂组合物中两种组份之 含量比说明氧化矽层之抛光选择率及抛光速率的 图形; 图15为一依照本发明添加剂组合物中两种组份之 含量比显示氮化矽层之侵蚀深度的图形; 图16为一显示利用本发明浆液组合物完成抛光后 所产生的缺陷数目图; 图17为一解释根据本发明浆液组合物之安定性的 图形。 |
