| 发明名称 | 氮化物半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在此公开了一种氮化物半导体发光器件。该氮化物半导体发光器件包括衬底上的n-型氮化物半导体层，在n-型氮化物层上形成的有源层，以致部分n-型氮化物半导体层被露出。在有源层上形成的p-型氮化物半导体层，p-型氮化物半导体层上的高浓度掺杂剂区，高浓度掺杂剂区上的反掺杂区，在n-型氮化物半导体层露出的部分上形成的n-侧电极，以及在反掺杂区上形成的p-侧电极。通过离子注入工艺和热处理为p-侧电极提供令人满意的欧姆接触。 | ||
| 申请公布号 | CN100340007C | 申请公布日期 | 2007.09.26 |
| 申请号 | CN200410038588.6 | 申请日期 | 2004.05.08 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 崔锡范;吴邦元;崔熙石 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体发光器件，包括：在衬底上形成的n-型氮化物半导体层；在n-型氮化物半导体层上形成的有源层，以致部分n-型氮化物半导体层被露出；在有源层上形成的p-型氮化物半导体层；通过在p-型氮化物半导体层上掺杂高浓度的p-型掺杂剂形成的高浓度掺杂剂区；通过在高浓度掺杂剂区上掺杂高浓度的n-型掺杂剂形成的反掺杂区；在n-型氮化物半导体层露出的部分上形成的n-侧电极；以及在反掺杂区上形成的p-侧电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||