发明名称 |
半导体管芯总成晶粒表面的处理方法 |
摘要 |
本发明涉及一种半导体管芯总成晶粒表面的处理方法,将待清洗的半导体管芯总成插置在清洗槽内,将腐蚀剂倒入清洗槽内,对其表面表进行腐蚀并除去有机污物,时间控制在1~10min内,斜置清洗槽倒除腐蚀剂,用去离子水快速斜冲半导体管芯总成;将前清洗剂倒入清洗槽内,去除其表面的金属离子和有机物,在半导体管芯总成晶粒表面形成氧化层,清冼时间控制在1~5min,倒除前清洗剂,用去离子水快速冲洗其表面;再将后清洗剂倒放清洗槽内,去除其表面的重金属离子及有机物,时间控制在1~5min,倒除后清洗剂,用去离子水快速冲洗表面;再通过超声波进行清洗和干燥。本发明操作方便,在低制造成本的前提下,能提高半导体二极管的性能。 |
申请公布号 |
CN101017773A |
申请公布日期 |
2007.08.15 |
申请号 |
CN200710020437.1 |
申请日期 |
2007.02.27 |
申请人 |
江苏佳讯电子有限公司;常州新区佳讯电子器材有限公司;常州久和电子有限公司 |
发明人 |
吕全亚;张心波;张国荣 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01) |
代理机构 |
常州市维益专利事务所 |
代理人 |
贾海芬 |
主权项 |
1、一种半导体管芯总成晶粒表面的处理方法,其特征在于:(1)、将待清洗的半导体管芯总成插置在清洗槽内,将腐蚀剂倒入清洗槽内,对半导体管芯总成面表进行腐蚀并除去有机污物,时间控制在1~10min内,斜置清洗槽倒除腐蚀剂,用高压去离子水快速斜冲洗半导体管芯总成表面;(2)、将前清洗剂倒入清洗槽内,去除半导体管芯总成表面的金属离子和有机物,并在半导体管芯总成晶粒表面形成氧化保护层,清冼时间控制在1~5min,倒除前清洗剂,用高压去离子水快速斜冲洗半导体管芯总成表面;(3)、再将后清洗剂倒放清洗槽内,去除半导体管芯总成表面的重金属离子及有机物,时间控制在1~5min,倒除后清洗剂,用高压去离子水快速斜冲洗半导体管芯总成表面;(4)、将清洗槽放置在水洗槽内,用超声波清洗,脱水后将半导体管芯总成放置在纯度为99.999%的氮气气氛下加热到120~150℃进行干燥;按体积百分比,上述的腐蚀剂是分析级或优级纯20%~30%的硝酸、20%~30%的氢氟酸、8%~15%的硫酸和30%~40%的冰乙酸混合溶液,前清洗剂是分析级或优级纯15%~35%的磷酸、15%~35%的双氧水以及40%~60%的去离子水混合溶液,后清洗剂是分析级或优级纯35%~55%的氨水、5%~20%的双氧水、40%~55%的去离子水混合溶液。 |
地址 |
224600江苏省盐城市响水县工业集中区开放大道88号 |