| 发明名称 | 用等离子体处理改进包含高k层的栅极电介质叠层的方法和系统 | ||
| 摘要 | 通过暴露于等离子体来改进栅极电介质叠层(1)的方法和系统。该方法包括：提供具有形成在衬底(10，125)上的高k层(30)的栅极电介质叠层(1)；由包含惰性气体和含氧气体或含氮气体中的一种的处理气体生成等离子体，选择所述处理气体的压力以控制所述等离子体中的中性自由基相对于离子自由基的量；通过使所述叠层(1)暴露于所述等离子体来改进所述栅极电介质叠层(1)。 | ||
| 申请公布号 | CN101006566A | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN200580027487.1 | 申请日期 | 2005.08.11 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 新实宽明;路吉·克罗姆伯;下村晃司;菅原卓也;松土龙夫 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/316(2006.01) | 主分类号 | H01L21/314(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李剑 |
| 主权项 | 1.改进栅极电介质叠层的方法，所述方法包括：提供具有形成在衬底上的高k层的栅极电介质叠层；由包含惰性气体和含氧气体或含氮气体中的一种的处理气体生成等离子体，并选择所述处理气体的压力，以便有效地控制所述等离子体中的中性自由基相对于离子自由基的量；通过使所述叠层暴露于所述等离子体来改进所述栅极电介质叠层，其中所述压力被选择，以使当所述处理气体包含含氧气体时提高中性自由基相对于离子自由基的量，当所述处理气体包含含氮气体时提高离子自由基相对于中性自由基的量。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||