| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer selbst-planarisierten dielektrischen Schicht für eine seichte Grabenisolation |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69835276(T2) |
申请公布日期 |
2007.07.12 |
| 申请号 |
DE19986035276T |
申请日期 |
1998.05.22 |
| 申请人 |
APPLIED MATERIALS INC. |
发明人 |
GEIGER, FABRICE;GAILLARD, FREDERIC |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/762;H01L21/00;H01L21/027;H01L21/31;H01L21/316 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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