| 发明名称 | 降低磷离子注入[0001]取向的4H－碳化硅电阻率的方法 | ||
| 摘要 | 一种降低磷离子注入[0001]取向的4H-碳化硅电阻率的方法，其特征在于，包括如下步骤：通过模拟程序选定在4H-碳化硅上进行磷离子注入参数，以形成杂质在注入层中的均匀分布；将磷离子注入到4H-碳化硅(0001)晶面；注入的样品在纯净的氩气保护下高温退火。本发明通过控制磷离子注入速率，减少了注入损伤，从而改善了退火后注入层的结晶质量，使得在工艺处理难度降低的情况下(例如，注入温度和退火温度)，达到降低注入层电阻率的目的，样品表面平整光滑，而且并未观察到明显的表面Si的蒸发。 | ||
| 申请公布号 | CN1326219C | 申请公布日期 | 2007.07.11 |
| 申请号 | CN200410049770.1 | 申请日期 | 2004.06.28 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 高欣;孙国胜;李晋闽;王雷;赵万顺 |
| 分类号 | H01L21/425(2006.01);C30B31/22(2006.01) | 主分类号 | H01L21/425(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种降低磷离子注入[0001]取向的4H-碳化硅电阻率的方法，其特征在于，包括如下步骤：通过蒙特卡罗程序选定在4H-碳化硅上进行磷离子注入的参数，以便杂质在注入层中形成均匀分布；将磷离子从(0001)晶面注入到4H-碳化硅中；注入的样品在纯净的氩气保护下进行退火。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||