包括有一单字元线电晶体之磁性记忆元件之系统及其制造方法

摘要

一种包括有一磁性金属层以及邻近于此磁性金属层之一磁感测元件之MRAM细胞。此磁性金属层之一端系耦接至一字元线电晶体，且一二极体系包括于其中并使此磁感测元件耦接至一位元线。此磁性金属层可用以程式化并读取此细胞，而在此细胞中排除一第二电流线之设置。