| 摘要 |
本发明系揭示一种自非挥发性记忆体读取资料之方法及非挥发性记忆体系统，根据数个毗邻浮动闸极中储存之电荷，可因一电场之耦合而在储存于一非挥发性记忆体单元之一浮动闸极上之表面电荷中发生数个移位。该表面电荷中之移位可藉由该表面临限电压上升而导致数个错误读取，及因此减低一记忆体单元之感应传导电流。用于一选取记忆体单元之读取方法考量到一或多个毗邻记忆体单元之状态。若一毗邻记忆体单元系在一预设组程式化状态之一或多者中，则可提供一补偿电流以增加该选取记忆体单元之表面传导电流。提供一初始化电压至该程式化毗邻记忆体单元之位元线，以诱导该程式化毗邻记忆体单元之位元线与该选取记忆体单元之位元线间之一补偿电流。 |
