| 发明名称 | 减少在离子注入工艺中累积于芯片表面的正电荷的方法 | ||
| 摘要 | 一种减少在离子注入工艺中累积于芯片表面的电荷的方法，此方法是先提供衬底，再在衬底上形成一层导电光致抗蚀剂图案，以暴露部分衬底，并以导电光致抗蚀剂图案为掩模，对衬底进行离子注入工艺，以于衬底中形成数个掺杂区。然后，移除导电光致抗蚀剂图案。由于利用导电光致抗蚀剂图案将累积的电荷传导出去，所以能够避免因电荷累积于芯片表面而发生的火山效应。 | ||
| 申请公布号 | CN1949462A | 申请公布日期 | 2007.04.18 |
| 申请号 | CN200510113380.0 | 申请日期 | 2005.10.11 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 施惠绅;黄宽益 |
| 分类号 | H01L21/266(2006.01);H01L21/331(2006.01);H01L21/8228(2006.01);G03F7/004(2006.01) | 主分类号 | H01L21/266(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种减少在离子注入工艺中累积于芯片表面的正电荷的方法，包括：提供一衬底；在该衬底上形成一导电光致抗蚀剂图案，该导电光致抗蚀剂图案暴露部分该衬底；以该导电光致抗蚀剂图案为掩模，对该衬底进行一离子注入工艺，以于该衬底中形成多个掺杂区；以及移除该导电光致抗蚀剂图案。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||