发明名称 形成抗蚀刻保护层的方法
摘要 本发明揭露一种在半导体基板上形成具有强化蚀刻阻抗之图案化光阻的方法。首先在基板上形成图案化光阻,一含矽聚合物层形成在图案化光阻之上,接着以一热处理制程在图案化光阻及含矽聚合物层之间形成一连接两层之交联抗蚀刻保护层,之后,移除剩余之含矽聚合物层,再以一电浆处理增加交联抗蚀刻保护层及图案化光阻之蚀刻阻抗。
申请公布号 TW200710992 申请公布日期 2007.03.16
申请号 TW095120946 申请日期 2006.06.13
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 林进祥;张庆裕
分类号 H01L21/312(2006.01) 主分类号 H01L21/312(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号