| 摘要 |
本发明提供一种制造高功函数p–MOS装置(10)金属电极的方法。在一具体实施例中，一提供用于制造一金属电极(13)的方法包括步骤：提供一具有一曝露表面的高k值介电堆叠(12)；使该高k值介电堆叠之该曝露表面与一金属氧化物的蒸气接触，其中该金属氧化物包含选自RuOx、IrOx、ReOx、MoOx、WOx、VOx、及PdOx所组成的群组；及使该介电堆叠(12)之该曝露表面与一选自SiO2，、Al2O3，、HfO2、ZrO2、MgO、SrO、BaO、Y2O3、La2O3、及TiO2所组成群组之添加物的蒸气接触，藉以使该介电堆叠(12)之该曝露表面与该金属氧化物的蒸气及该添加物的蒸气接触而形成一电极(13)，且其中该添加物在该电极(13)内的原子重量百分比含量在约1％至约50％之间。 |
