| 发明名称 | 加工方法、加工装置及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种进行选择性地除去在衬底上形成的加工膜的加工区域或进行减少膜厚的加工的加工方法，其特征在于包括：使在上述衬底上的照射形状比上述加工区域小的第1加工光，对上述衬底相对地扫描以选择性地进行上述加工区域的加工膜的加工的工序；和向比上述加工区域更往内侧的区域照射第2加工光，选择性地进行比上述加工区域更往内侧的区域的上述加工膜的加工的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1877457A | 申请公布日期 | 2006.12.13 |
| 申请号 | CN200610094255.4 | 申请日期 | 2003.05.14 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 竹石知之;川野健二;池上浩;伊藤信一;高桥理一郎 |
| 分类号 | G03F9/00(2006.01);H01L21/00(2006.01);G03F7/20(2006.01) | 主分类号 | G03F9/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 陈海红;段承恩 |
| 主权项 | 1.一种向每一加工单位照射能束，选择加工在衬底上形成的加工膜的加工区域的加工方法，包括：对上述衬底的加工单位照射能束；在上述能束的光路上，观察因上述能束的照射而产生的气体；测量上述气体的大小；在上述气体的大小比规定值小的情况下，对上述加工膜照射其次的能束。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||