发明名称 发光装置及其制造方法
摘要 本发明系关于在制造向上发射型发光元件中提供一种能够提高发光元件的发光效率,而不会降低现有技术中使用的阳极材料特性的方法。本发明的特征在于属于元素周期表中第4,5和6族中一族的金属元素的氮化物或碳化物(以下称之为金属化合物)用作形成发光元件阳极的材料。该金属化合物的工作函数等于或大于常用阳极材料的工作函数。因此,能够将阳极的电洞注入提高更多。而且,对于导电性能来说,该金属化合物的电阻率小于ITO的电阻率。因此,它能够实现当成接线的功能,与现有技术相比还能降低发光元件中的驱动电压。
申请公布号 TWI262613 申请公布日期 2006.09.21
申请号 TW091122381 申请日期 2002.09.27
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 濑尾哲史;中村康男
分类号 H01L51/20 主分类号 H01L51/20
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种发光装置,具有阳极,阴极和至少包含有机化合物的层,其中至少包含有机化合物的层插入在阳极和阴极之间,其中阳极具有遮光能力,它包含属于周期表第4,5或6族的一种元素,和其中该阳极包含一透光导电膜。2.如申请专利范围第1项之发光装置,其中阳极是由电阻率为110-2cm或更小的材料组成。3.如申请专利范围第1项之发光装置,其中阳极是由工作函数为4.7eV或更大的材料组成。4.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该阳极是由从氮化钛,氮化锆,碳化钛,碳化锆,氮化钽,碳化钽,氮化钼,碳化钼构成的组中选取一种而形成。5.如申请专利范围第1项之发光装置,其中该发光装置是由显示装置,数位静态相机,笔记本个人电脑,移动电脑,具有记录媒体的携带型影像再生装置,护目镜型显示器,视频相机和行动电话构成的组中选择之一装置。6.一种发光装置,具有阳极,阴极和至少包含有机化合物的层,其中至少包含有机化合物的层插入在阳极和阴极之间,其中阳极具有遮光能力,它由属于周期表第4,5或6族中之一种元素的一个氮化物或碳化物构成,和其中阴极包含一透光导电膜。7.如申请专利范围第6项之发光装置,其中该阳极是由电阻率为110-2cm或更小的材料组成。8.如申请专利范围第6项之发光装置,其中该阳极是由工作函数为4.7eV或更大的材料组成。9.如申请专利范围第6项之发光装置,其中该阳极是由从氮化钛,氮化锆,碳化钛,碳化锆,氮化钽,碳化钽,氮化钼,碳化钼构成的组中选取一种而形成。10.如申请专利范围第6项之发光装置,其中该发光装置是由显示装置,数位静态照相机,笔记本个人电脑,移动电脑,具有记录媒体的携带型影像再生装置,护目镜型显示器,视频相机和行动电话构成的组中选择的一装置。11.一种发光装置,其具有设置在绝缘表面上的TFT和发光元件,其中该发光元件具有阳极,阴极和至少包含有机化合物的层,其中TFT与阳极形成电连接,和其中阳极包含属于周期表第4,5或6族中一族的元素。12.如申请专利范围第11项之发光装置,其中该阳极包含一透光导电膜。13.如申请专利范围第11项之发光装置,其中该阳极由电阻率为110-2cm或更小的材料组成。14.如申请专利范围第11项之发光装置,其中该阳极是由工作函数为4.7eV或更大的材料组成。15.如申请专利范围第11项之发光装置,其中该阳极是由从氮化钛,氮化锆,碳化钛,碳化锆,氮化钽,碳化钽,氮化钼,碳化钼构成的组中选取一种而形成。16.如申请专利范围第11项之发光装置,其中该发光装置是由显示装置,数位静态照相机,笔记本个人电脑,移动电脑,具有记录媒体的携带型影像再生装置,护目镜型显示器,视频相机和行动电话构成的组中选择的一种装置。17.一种发光装置,其具有设置在绝缘表面上的TFT和发光元件,其中该发光元件具有阳极,阴极和至少包含有机化合物的层,其中TFT与阳极形成电连接,和其中阳极包含一种属于周期表第4,5或6族中一族元素的氮化物或碳化物。18.如申请专利范围第17项之发光装置,其中该阳极包含一透光导电膜。19.如申请专利范围第17项之发光装置,其中该阳极由电阻率为110-2cm或更小的材料组成。20.如申请专利范围第17项之发光装置,其中该阳极是由工作函数为4.7eV或更大的材料组成。21.如申请专利范围第17项之发光装置,其中该阳极是由从氮化钛,氮化锆,碳化钛,碳化锆,氮化钽,碳化钽,氮化钼,碳化钼构成的组中选取一种而形成。22.如申请专利范围第17项之发光装置,其中该发光装置是由显示装置,数位静态照相机,笔记本个人电脑,移动电脑,具有记录媒体的携带型影像再生装置,护目镜型显示器,视频相机和行动电话构成的组中选择的一种装置。23.一种发光装置的制造方法,包含:在绝缘表面上形成一阳极;将阳极表面经过UV臭氧处理;在阳极上形成至少包含一有机化合物的层;和在至少包含一有机化合物的层上形成阴极,其中阳极包含一种属于元素周期表第4,5或6族中一族的元素。24.如申请专利范围第23项之发光装置的制造方法,其中阳极与在基底上形成的TFT形成电连接。25.一种发光装置的制造方法,包含:在绝缘表面上形成一阳极;将阳极表面经过UV臭氧处理;在阳极上形成至少包含一有机化合物的层;和在至少包含一有机化合物的层上形成阴极,其中阳极是由一种属于元素周期表第4,5或6族中一族元素的氮化物或碳化物形成。26.如申请专利范围第25项之发光装置的制造方法,其中阳极在基底上形成的TFT形成电连接。27.一种发光装置的制造方法,包含:在绝缘表面上形成一阳极;将阳极表面经过UV臭氧处理;在阳极上形成至少包含一有机化合物的层;和在至少包含一有机化合物的层上形成阴极,其中阳极具有遮光能力,它包含一种属于元素周期表第4,5或6族中一族的元素,其中阴极是由透光导电膜形成的。28.如申请专利范围第27项之发光装置的制造方法,其中阳极与在基底上形成的TFT形成电连接。29.一种发光装置的制造方法,包含:在绝缘表面上形成一阳极;将阳极表面经过UV臭氧处理;在阳极上形成至少包含一有机化合物的层;和在至少包含一有机化合物的层上形成阴极,其中阳极具有遮光能力,它由属于元素周期表第4,5或6族中一族元素的氮化物和碳化物组成,其中阴极是由透光导电膜形成。30.如申请专利范围第29项之发光装置的制造方法,其中阳极与在基底上形成的TFT形成电连接。31.一种发光装置的制造方法,包含:在绝缘表面上形成一阳极;将阳极表面经过电浆处理;在阳极上形成至少包含一有机化合物的层;和在至少包含一有机化合物的层上形成阴极,其中阳极包含属于元素周期表第4,5或6族中一族的元素。32.如申请专利范围第31项之发光装置的制造方法,其中阳极与在基底上形成的TFT形成电连接。33.一种发光装置的制造方法,包含:在绝缘表面上形成一阳极;将阳极表面经过电浆处理;在阳极上形成至少包含一有机化合物的层;在至少包含一有机化合物的层上形成阴极,其中阳极是由属于元素周期表第4,5或6族中一族元素的氮化物或碳化物组成。34.如申请专利范围第33项之发光装置的制造方法,其中阳极与在基底上形成的TFT形成电连接。35.一种发光装置的制造方法,包含:在绝缘表面上形成一阳极;将阳极表面经过电浆处理;在阳极上形成至少包含一有机化合物的层;和在至少包含一有机化合物的层上形成阴极,其中阳极具有遮光能力,它包含属于元素周期表第4,5或6族中一族的元素,其中阴极包含一透光导电膜。36.如申请专利范围第35项之发光装置的制造方法,其中阳极与在基底上形成的TFT形成电连接。37.一种发光装置的制造方法,包含:在绝缘表面上形成一阳极;将阳极表面经过电浆处理;在阳极上形成至少包含一有机化合物的层;在至少包含一有机化合物的层上形成阴极,其中阳极具有遮光能力,它由属于元素周期表中第4,5或6族中一族元素的氮化物和碳化物组成,其中阴极包含一透光导电膜。38.如申请专利范围第37项之发光装置的制造方法,其中阳极与在基底上形成的TFT形成电连接。图式简单说明:图1A和1B是说明本发明发光装置的元件结构的视图;图2A至2D是说明制造根据本发明发光装置过程的视图;图3A至3C是说明制造根据本发明发光装置过程的视图;图4是说明本发明低分子型发光装置的元件结构的视图;图5是说明本发明高分子型发光装置的元件结构的视图;图6A至6C是说明制造根据本发明发光装置过程的视图;图7A至7C是说明制造根据本发明发光装置过程的视图;图8A和8B是说明制造根据本发明发光装置过程的视图;图9A和9B是说明制造根据本发明发光装置过程的视图;图10A至10D是说明本发明发光装置中元件结构的视图;图11A和11B是发光装置的图素部分的顶视图;图12A和12B是说明本发明发光装置中元件结构的视图;图13A和13B是说明反向交错排列的TFT结构的视图;图14是说明被动矩阵发光装置的视图;图15是表示藉由UV臭氧处理测量工作函数値结果的视图;图16A至16H是表示电器用品实例的视图;图17是表示现有技术实例的视图;图18A和18B是表示测量本发明发光元件的元件特性结果的视图;和图19A和19B是表示测量本发明发光元件的元件特性结果的视图。
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