| 主权项 |
1.一种场发射发光元件,系包含有:一基板;一萤光粉材区,设置于该基板上;一阴极,设置于基板,且相邻于该萤光粉材区之一侧;及一阳极,设置于基板,且相邻于该萤光粉材区之另一侧,使由该阴极所激发之电子穿透该萤光粉材区而至该阳极。2.如申请专利范围第1项所述之场发射发光元件,其中该电子之穿透方向系概略平行于该基板表面。3.如申请专利范围第1项所述之场发射发光元件,其中该萤光粉材区系包含有复数种颜色之萤光粉。4.如申请专利范围第3项所述之场发射发光元件,其中该萤光粉系包含有红(R)、绿(G)、蓝(B)色。5.如申请专利范围第1项所述之场发射发光元件,其中该阴极表面包括一阴极场发射源。6.如申请专利范围第5项所述之场发射发光元件,其中该阴极场发射源系由奈米碳材所构成。7.如申请专利范围第6项所述之场发射发光元件,其中该奈米碳材系为奈米碳管。8.如申请专利范围第6项所述之场发射发光元件,其中该奈米碳材系为奈米碳壁。9.如申请专利范围第5项所述之场发射发光元件,其中该阴极场发射源系由可加强场发射特性之氧化物与金属所构成。10.如申请专利范围第5项所述之场发射发光元件,其中该阴极场发射源前端系弯折朝向该萤光粉材区。11.如申请专利范围第1项所述之场发射发光元件,其中该阳极表面包括一阳极场发射源。12.如申请专利范围第11项所述之场发射发光元件,其中该阳极场发射源系由奈米碳材所构成。13.如申请专利范围第12项所述之场发射发光元件,其中该奈米碳材系为奈米碳管。14.如申请专利范围第12项所述之场发射发光元件,其中该奈米碳材系为奈米碳壁。15.如申请专利范围第11项所述之场发射发光元件,其中该阳极场发射源系由可加强场发射特性之氧化物与金属所构成。16.如申请专利范围第11项所述之场发射发光元件,其中该阳极场发射源前端系弯折朝向该萤光粉材区。17.如申请专利范围第1项所述之场发射发光元件,其中该基板系包括一可反射光线之反射层。图式简单说明:第1图系传统的垂直式场发射发光元件之示意图;第2图系本发明之实施例之场发射发光元件之示意图;第3图系本发明之实施例之具有前端弯折之阴极场发射源与阳极场发射源之场发射发光元件之示意图;第4图系本发明之实施例之具有反射层之场发射发光元件之示意图;第5图系本发明之实施例之利用阴阳极与萤光粉的阵列排列方式产生发光区块之示意图;及第6图系本发明之实施例之利用阴阳极与萤光粉的阵列排列方式产生发光点阵之示意图。 |
