发明名称 半导体元件、具有辅助图案之半导体元件及具有改善微负载效应之辅助图案之半导体元件的结构
摘要 一种半导体元件的结构,包括:一基底;一隔离区,形成于基底;一主动区,形成于基底且邻近隔离区,主动区具有一纵长;以及一辅助图案,形成于隔离区上,辅助图案具有一纵长,其中辅助区之纵长大于主动区之纵长,主动区是具有一对长边及短边之一矩形,矩形之长边与主动区之间隔距离约小于1500nm,且与主动区之纵长大致平行。
申请公布号 TW200627550 申请公布日期 2006.08.01
申请号 TW095102190 申请日期 2006.01.20
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 庄学理;郑光茗;郭正诚;杨稳儒;林晃生;韩郁琪
分类号 H01L21/336;G03F1/00 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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