发光元件及该制造方法

摘要

一种半导体元件之制造方法，系于基板上使形成氮化物系或氧化物系化合物半导体的柱状结晶，使用此柱状结晶来制造半导体元件之方法，其特征为：于前述基板表面上，控制III族原子与氮或II族原子与氧原子的供给比及结晶的成长温度，来抑制基板表面中之对横方向的结晶成长，使柱状结晶于c轴方向具有向异性而成长。