发明名称 含有具有特定架构之四级胺化合物及有机硫化合物等添加物之铜电解液,以及由该电解液制造之电解铜箔
摘要 本发明之目的系在使用阴极转筒之电解铜箔的制造中获得一种在粗糙表面侧(光泽表面的反面)上具有小表面粗糙度之低棱线(low profile)电解铜箔,尤其是获得一种可精密图案化,且在常温及高温具有优异之延伸率和抗拉强度之电解铜箔。再者,本发明之目的系获得一种为此目的之铜电解液。此铜电解液含有有机硫化合物及藉由每分子具有一个或多个环氧基之化合物与胺化合物间之加成反应,接着氮之成季硷反应(quaternization)所获得之具有下述通式(1)所示之特定架构之四级胺化合物作为添加剂。(1)(通式(1)中,R1及R2各表示选自由羟基烷基、醚基、芳香基、芳香基取代之烷基、不饱和烃基及烷基所组成组群之基团,R3表示苯甲基、烯丙基或烷基,A表示环氧化合物残基,X1-表示Cl-、 Br-或CH3SO4-,以及n表示1或更大之整数)。
申请公布号 TWI250224 申请公布日期 2006.03.01
申请号 TW092128685 申请日期 2003.10.16
申请人 日?材料股份有限公司 发明人 熊谷正志;花房干夫
分类号 C23C22/00 主分类号 C23C22/00
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路80号6楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路80号6楼
主权项 1.一种铜电解液,系含有作为添加剂之有机硫化合 物及藉由每分子具有一个或多个环氧基之化合物 与胺化合物之加成反应,接着氮之成季硷反应所获 得之具有下述通式(1)所示之特定架构之四级胺化 合物 (通式(1)中R1及R2各表示选自由羟基烷基、醚基、 芳香基、芳香基取代之烷基、不饱和烃基及烷基 所组成组群之基团,R3表示苯甲基、烯丙基或烷基, A表示环氧化合物残基,X1-表示Cl-、Br-或CH3SO4-,以及 n表示1或更大之整数)。 2.如申请专利范围第1项之铜电解液,其中具有特定 架构之四级胺化合物的环氧化合物残基A具有直链 醚键合。 3.如申请专利范围第1项之铜电解液,其中具有特定 架构之四级胺化合物系为下述通式(2)至(9)所示之 化合物之一, (n:1至3之整数) (通式(2)至(9)中,R1及R2各表示选自由羟基烷基、醚 基、芳香基、芳香基取代之烷基、不饱和烃基及 烷基所组成组群之基团,R3表示苯甲基、烯丙基或 具有1至5个碳原子之烷基,及X1-表示Cl-、Br-或CH3SO4- )。 4.如申请专利范围第2项之铜电解液,其中具有特定 架构之四级胺化合物系为下述通式(2)至(9)所示之 化合物之一, (n:1至3之整数) (通式(2)至(9)中,R1又R2各表示选自由羟基烷基、醚 基、芳香基、芳香基取代之烷基、不饱和烃基及 烷基所组成组群之基团,R3表示苯甲基、烯丙基或 具有1至5个碳原子之烷基,及X1-表示Cl-、Br-或CH3SO-4 )。 5.如申请专利范围第1项之铜电解液,其特征在于有 机硫化合物系为下述通式(10)或(11)所示之化合物 X-R1-(S)n-R2-Y (10) R4-S-R3-SO3Z (11) (通式(10)及(11)中,R1、R2及R3各表示具有1至8个碳原 子之烷撑基,R4表示选自由氢, 所组成组群之基团,X表示选自由磺酸基、膦酸基, 及磺酸或膦酸-硷金属盐基或铵盐基所组成组群之 基团,Y表示选自由磺酸基、膦酸基,及磺酸或膦酸- 硷金属盐基所组成组群之基团,Z表示氢、硷金属, 及n为2或3)。 6.一种电解铜箔,系使用如申请专利范围第1至5项 中任一项之铜电解液所制造者。 7.一种铜包层-层合板,系使用如申请专利范围第6 项之电解铜箔所形成者。 图式简单说明: 第1图系显示具有特定结构之四级胺化合物之合成 例所获得之化合物的FT-IR光谱。 第2图系显示具有特定结构之四级胺化合物之合成 例所获得之化合物的1H-NMR光谱。 第3图系显示具有特定结构之四级胺化合物之合成 例所获得之化合物的13C-NMR光谱。 第4图为显示电解铜箔制造装置之一实例的图式。
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