半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成半导体薄膜；通过照射YVO₄激光器的二次谐波，使半导体薄膜结晶；构图结晶的半导体薄膜，以形成岛状半导体。或者，可以通过照射YVO₄激光器的具有线性形状的二次谐波使半导体薄膜结晶。也可以先构图半导体薄膜以形成岛状半导体，然后照射YVO₄激光器的二次谐波，以使岛状半导体薄膜结晶。在这里，YVO₄激光器的二次谐波的照射面的形状具有等于或大于10的纵横比。或者，在衬底上形成绝缘膜，在绝缘膜上形成半导体薄膜，通过照射YVO₄激光器的二次谐波，使半导体薄膜结晶，构图结晶的半导体薄膜以形成岛状半导体薄膜，其中绝缘膜含有至少一种选自氧化硅、氮氧化硅和氮化硅的材料。

主权项

1.半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成半导体薄膜；通过照射YVO4激光器的二次谐波，使该半导体薄膜结晶；构图结晶的所述半导体薄膜，以形成岛状半导体。