有机矽氧烷膜及使用其之半导体装置

摘要

本发明系提供介电率极低之有机矽氧烷膜的介电率寿命为10年以上之材料设计指南。其比介电率系为2.1以下之有机矽氧烷膜，相对于膜中的矽量，其碳量之元素比为0.10以上0.55以下。