| 主权项 |
1.一种液晶介质,以具有负介电各向异性之极性化 合物的混合物为主,其包含: 一或多种式I之化合物 其中R1系为具有1至12个碳原子之烷氧基; 一或多种式II之化合物 其中m系为1或2且 R2及R3各独立为具有1至12个碳原子之烷基或烯基, 其中一或多个不相邻的CH2基团可选择性被-O-、-S- 及/或一C≡C-所替代, 但当m为2时,R2不为烷氧基;及 一或多种式III之化合物: 其中环A系为1,4-反式-伸环己基或1,4-伸苯基,且R4及 R5各独立为具有1至12个碳原子之烷基或烯基,其中 一或多个不相邻的CH2基团可选择性被-O-、-S-及/或 -C≡C-所替代。 2.如申请专利范围第1项之介质,其另外包含一或多 种式IV之化合物: 其中R6及R7各独立为具有1至12个碳原子之烷基或烯 基,其中一或多个不相邻的CH2基团可选择性被-O-、 -S-及/或-C≡C-所替代。 3.如申请专利范围第1项之介质,其包含一或多种选 自式IIa至式IIc及式II'd至式II'e之化合物 其中各烷基系独立为具有1至6个碳原子之直链烷 基。 4.如申请专利范围第1项之介质,其包含一或多种选 自式IIIa至IIId及式III'e至III'f之化合物 其中各烷基系独立为具有1至6个碳原子之直链烷 基,烯基系为具有2至6个碳原子之直链烯基,n系为0 或1,且L系为H或F。 5.如申请专利范围第1项之介质,其基本上由4种或4 种以上之式I及式II之化合物及一或多种式III化合 物所组成。 6.如申请专利范围第1项之介质,其中式I化合物于 整体混合物中之比例系至少10重量百分比。 7.如申请专利范围第1项之介质,其中式II化合物于 整体混合物中之比例系至少30重量百分比。 8.如申请专利范围第1项之介质,其中式III化合物于 整体混合物中之比例系至少5重量百分比。 9.如申请专利范围第2项之介质,其基本上系由以下 化合物所组成: 10-45重量百分比之一或多种式I之化合物, 30-85重量百分比之一或多种式II之化合物, 5-35重量百分比之一或多种式III之化合物,及 0重量百分比以上至25重量百分比之一或多种式IV 的化合物。 10.一种基于ECB(电控双折射)效应之电光显示器,其 特征在于其包含如申请专利范围第1项之液晶介质 作为介电质。 11.如申请专利范围第10项之电光显示器,其具有主 动矩阵定址类型。 12.一种基于ECB效应之电光显示器,其特征在于其包 含如申请专利范围第9项之液晶介质作为介电质。 13.如申请专利范围第12项之电光显示器,其具有主 动矩阵定址类型。 14.如申请专利范围第2项之介质,其基本上系由以 下化合物所组成: 10-45重量百分比之一或多种式I之化合物, 30-85重量百分比之一或多种式II之化合物, 5-35重量百分比之一或多种式III之化合物,及 3-25重量百分比之一或多种式IV之化合物。 15.如申请专利范围第1项之介质,其基本上系由以 下化合物所组成: 10-45重量百分比之一或多种式I之化合物, 30-85重量百分比之一或多种式II之化合物,及 5-35重量百分比之一或多种式III之化合物。 16.如申请专利范围第2项之介质,其基本上系由以 下化合物所组成: 15-35重量百分比之一或多种式I之化合物, 40-75重量百分比之一或多种式II之化合物, 7-30重量百分比之一或多种式III之化合物,及 5-20重量百分比之一或多种式IV之化合物。 17.如申请专利范围第1项之介质,其包含15-35重量百 分比之一或多种式I之化合物。 |
