| 发明名称 | 漏电流减少的装置和电路及减少漏电流的方法 | ||
| 摘要 | 简要地说，按照本发明的一个实施例，一种集成电路具有电压发生器，所述电压发生器有选择地增加在晶体管的沟道区域上的相对于晶体管的源极区域的电压电位。 | ||
| 申请公布号 | CN1236560C | 申请公布日期 | 2006.01.11 |
| 申请号 | CN01814080.7 | 申请日期 | 2001.06.01 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | K·维拉德;L·克拉克 |
| 分类号 | H03K19/00(2006.01) | 主分类号 | H03K19/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;梁永 |
| 主权项 | 1.一种减小晶体管漏电流的电路，包括：具有共同连接的漏极区域的第一和第二晶体管(30，20)，其中第一晶体管的源极区域耦合用来接收第一电压电位，第二晶体管的源极区域耦合用来接收第二电压电位；以及第三晶体管(82)，具有耦合至第一晶体管(30)本体区域的源极区域，以便当工作在无效方式时，有选择地升高提供给本体区域的电压电位，从而减小第一晶体管的漏电流，其中该第三晶体管具有比第一或第二晶体管的栅极氧化物厚度更大的栅极氧化物厚度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||