| 主权项 |
1.一种具有半导体路径之半导体装置,其包含一有机半导体材质,一第一接触用于将电荷载体注入该半导体路径中,以及一第二接触用于自该半导体路径取出电荷载体,其中磷化氢层系配置于该第一接触与该半导体路径之间及/或于该第二接触与该半导体路径之间。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该第一及/或该第二接触系由钯所组成。3.如申请专利范围第1项或第2项之装置,其中该磷化氢层系形成如自身组织的单分子层。4.如申请专利范围中第1项或第2项之装置,其中该磷化氢系存在于该磷化氢层中的金属复合物。5.如申请专利范围第4项之装置,其中该金属复合物包含钯(palladium(0))或铂(platinum(0))。6.如申请专利范围中第1项或第2项之装置,其藉由一闸极电极与一闸极介电质的辅助形成一场效电晶体。7.一种用于制造如申请专利范围第1项至第6项之半导体装置的方法,其中在该基质上提供具有未覆盖之接触表面的一第一接触及/或一第二接触,将磷化氢或含有金属之磷化氢衍生物施用于该未覆盖之接触表面,因此可于该接触表面上获得一磷化氢层且沉积一有机半导体材质,因而可在该第一接触与该第二接触之间获得包括半导体材质之半导体路径。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该磷化氢系以溶液施用于该第一及/或第二接触之接触表面。9.如申请专利范围第7项或第8项之方法,其中该磷化氢系以金属复合物之形式被施用。图式简单说明:第1A-E图系说明根据本发明制造场效电晶体的方法步骤,其包含该半导体装置。 |
