控温式移动颗粒床结构

摘要

一种控温式移动颗粒床结构，系包括一以中空壳体方式构建之水套式床壳体，水套式床壳体内又设有连通并用以流通一预定流体之流体室，藉此使颗粒床结构成形为一可包围床质流道之水套式床壳体结构，而藉由预定流体与壳壁及床质间之热交换作用，乃可控制颗粒床之操作温度，并因此节约颗粒床之高温设备成本与单一化颗粒床所选用之床质材料。

主权项

1.一种控温式移动颗粒床结构,系包括: 一水套式床壳体,系为一具有复数个串列水套式漏 斗状结构之结构体,该水套式床壳体之壳体内系构 形成具有一连通之床壳体流体室; 一流体导入管路,系设于该水套式床壳体上之一预 定处,并连通至该床壳体流体室;以及 一流体导出管路,系设于该水套式床壳体上另一预 定处,并连通至该床壳体流体室。 2.如申请专利范围第1项所述之控温式移动颗粒床 结构,其中所述之该水套式漏斗结构内又包括至少 一中空式流场校正结构,该中空式流场校正结构内 又设置有一流场校正结构流体室,且该流场校正结 构流体室系与该床壳体流体室连通。 3.如申请专利范围第2项所述之控温式移动颗拉床 结构,其中所述之该中空式流场校正结构之截面系 为一中空倒『V』字形者。 4.如申请专利范围第2项所述之控温式移动颗粒床 结构,其中所述之该中空式流场校正结构之截面系 为一中空『』形者。 5.如申请专利范围第2项所述之控温式移动颗粒床 结构,其中所述之该中空式流场校正结构之截面系 为一中空菱形者。 6.如申请专利范围第2项所述之控温式移动颗粒床 结构,其中所述之该中空式流场校正结构之截面系 为一中空『∣』字形者。 7.一种控温式移动颗粒床结构,系包括: 一水套式床壳体,系为一具有复数个串列水套式漏 斗状结构之结构体;其中,每一该水套式漏斗状结 构内又各建构有一床壳体流体室; 复数个流体导入管路,每一该流体导入管路系设于 一相对之该水套式漏斗结构上之一预定处,并连通 至该水套式漏斗结构内之该床壳体流体室;以及 复数个流体导出管路,每一该流体导出管路系设于 一相对之该水套式漏斗结构上之另一预定处,并连 通至该水套式漏斗结构内之该床壳体流体室。 8.如申请专利范围第7项所述之控温式移动颗粒床 结构,其中所述之该复数个水套式漏斗结构内之各 该床壳体流体室系为相连通状态。 9.如申请专利范围第7项所述之控温式移动颗粒床 结构,其中所述之该复数个水套式漏斗结构内之各 该床壳体流体室系为各自独立状态。 10.如申请专利范围第7项所述之控温式移动颗粒床 结构,其中所述之该水套式漏斗结构内又包括至少 一中空式流场校正结构,该中空式流场校正结构内 又设置有一流场校正结构流体室,且该流场校正结 构流体室系与该床壳体流体室连通。 11.如申请专利范围第10项所述之控温式移动颗粒 床结构,其中所述之该中空式流场校正结构之截面 系为一中空倒『V』字形者。 12.如申请专利范围第10项所述之控温式移动颗粒 床结构,其中所述之该中空式流场校正结构之截面 系为一中空『』形者。 13.如申请专利范围第10项所述之控温式移动颗粒 床结构,其中所述之该中空式流场校正结构之截面 系为一中空菱形者。 14.如申请专利范围第10项所述之控温式移动颗粒 床结构,其中所述之该中空式流场校正结构之截面 系为一中空『∣』字形者。 15.一种控温式移动颗粒床结构,系包括: 一水套式床壳体,系具有复数个串列水套式漏斗状 结构之结构体;其中,每一该水套式漏斗状结构内 又各建构有一床壳体流体室; 复数漏斗状结构间连通管,系用以连通二相邻该水 套式漏斗状结构中之二该床壳体流体室; 一流体导入管路,系设置于一该水套式漏斗结构上 之一预定处,并连通至该相对应水套式漏斗结构内 之该床壳体流体室;以及 一流体导出管路,系设置于另一该水套式漏斗结构 上之另一预定处,并连通至该相对应水套式漏斗结 构内之该床壳体流体室。 16.如申请专利范围第15项所述之控温式移动颗粒 床结构,其中所述之该水套式漏斗结构内又包括至 少一中空式流场校正结构,该中空式流场校正结构 内又设置有一流场校正结构流体室,且该流场校正 结构流体室系与该床壳体流体室连通。 17.如申请专利范围第16项所述之控温式移动颗粒 床结构,其中所述之该中空式流场校正结构之截面 系为一中空倒『V』字形者。 18.如申请专利范围第16项所述之控温式移动颗粒 床结构,其中所述之该中空式流场校正结构之截面 系为一中空『』形者。 19.如申请专利范围第16项所述之控温式移动颗粒 床结构,其中所述之该中空式流场校正结构之截面 系为一中空菱形者。 20.如申请专利范围第16项所述之控温式移动颗粒 床结构,其中所述之该中空式流场校正结构之截面 系为一中空『∣』字形者。 21.一种控温式移动颗粒床结构,系包括: 一水套式床壳体,系为一具有复数个串列水套式漏 斗状结构之结构体;其中,每一该水套式漏斗状结 构内又各建构有一床壳体流体室; 一流体导入共同中空壁体,系设置于该水套式床壳 体之一侧,其中空部分并连通至各该水套式漏斗状 结构内之各该床壳体流体室,该流体导入共同中空 壁体上又包括有一连通至该中空部分之流体导入 管路;以及 一流体导出共同中空壁体,系设置于该水套式床壳 体与该流体导入共同中空壁体相对应之另一侧,其 中空部分并连通至各该水套式漏斗状结构内之各 该床壳体流体室,该流体导入共同中空壁体上又包 括有一连通至该中空部分之流体导出管路。 22.如申请专利范围第21项所述之控温式移动颗粒 床结构,其中所述之该复数个水套式漏斗结构内之 各该床壳体流体室系为相连通状态。 23.如申请专利范围第21项所述之控温式移动颗粒 床结构,其中所述之该复数个水套式漏斗结构内之 各该床壳体流体室系为各自独立状态。 24.如申请专利范围第21项所述之控温式移动颗粒 床结构,其中所述之该水套式漏斗结构内又包括至 少一中空式流场校正结构,该中空式流场校正结构 内又设置有一流场校正结构流体室,且该流场校正 结构流体室系与该床壳体流体室连通。 25.如申请专利范围第24项所述之控温式移动颗粒 床结构,其中所述之该中空式流场校正结构之截面 系为一中空倒『V』字形者。 26.如申请专利范围第24项所述之控温式移动颗粒 床结构,其中所述之该中空式流场校正结构之截面 系为一中空『』形者。 27.如申请专利范围第24项所述之控温式移动颗粒 床结构,其中所述之该中空式流场校正结构之截面 系为一中空菱形者。 28.如申请专利范围第24项所述之控温式移动颗粒 床结构,其中所述之该中空式流场校正结构之截面 系为一中空『∣』字形者。 29.一种水套式漏斗状结构,乃用以构建一移动颗粒 床结构,又包括: 一床壳体流体室,系内建于该漏斗状结构之壁体内 ,用以流通一预定流体; 一流体导入管路,系设于该漏斗状结构上,乃用以 将该预定流体导入至该床壳体流体室中;以及 一流体导出管路,系设于该漏斗状结构上,乃用以 将该预定流体导出该床壳体流体室。 30.如申请专利范围第29项所述之水套式漏斗状结 构,又包括至少一中空式流场校正结构,该中空式 流场校正结构内又设置有一流场校正结构流体室, 且该流场校正结构流体室系与该床壳体流体室连 通。 31.如申请专利范围第30项所述之水套式漏斗状结 构,其中所述之该中空式流场校正结构之截面系为 一中空倒『V』字形者。 32.如申请专利范围第30项所述之水套式漏斗状结 构,其中所述之该中空式流场校正结构之截面系为 一中空『』形者。 33.如申请专利范围第30项所述之水套式漏斗状结 构,其中所述之该中空式流场校正结构之截面系为 一中空菱形者。 34.如申请专利范围第30项所述之水套式漏斗状结 构,其中所述之该中空式流场校正结构之截面系为 一中空『∣』字形者。 图式简单说明: 第一图系为一习知移动颗粒床装置运用之示意图; 第二图系为本发明控温式移动颗粒床结构一第一 实施例之示意图; 第三图系为本发明控温式移动颗粒床结构一第二 实施例之示意图; 第四图系为本发明控温式移动颗粒床结构一第三 实施例之示意图; 第五图系为本发明控温式移动颗粒床结构一第四 实施例之示意图; 第六图系为本发明控温式移动颗粒床结构一第五 实施例之示意图; 第七图系为本发明控温式移动颗粒床结构中漏斗 状结构另一实施例之截面示意图; 第八图系为本发明控温式移动颗粒床结构中漏斗 状结构又一实施例之截面示意图; 第九图系为本发明控温式移动颗粒床结构中漏斗 状结构再一实施例之截面示意图;以及 第十图系为本发明控温式移动颗粒床结构中漏斗 状结构尚一实施例之截面示意图。