发明名称 双离子束共溅射淀积原子层纳米薄膜设备
摘要 本实用新型为一种双离子束共溅射淀积原子层纳米薄膜设备。利用甚低能量的离子在靶材上的动能转换,将靶材原子搬迁出来并在附近的衬底上生长单原子纳米膜或微米膜。同时利用另一离子束在淀积前对靶材或衬底材料进行原位轰击,实现表面材料的原子级清洗;或者轰击正在淀积的薄膜,原位改善薄膜的机械特性和电特性。这种以纳米尺寸的逐原子层淀积的薄膜,实现了不同薄膜层间的原子键合,使得膜层具有了粘附性牢、均匀性和致密性好、极小内应力的优点,大大地提高了薄膜的性能。
申请公布号 CN2734774Y 申请公布日期 2005.10.19
申请号 CN200420068277.X 申请日期 2004.07.28
申请人 雷卫武 发明人 雷卫武
分类号 C23C14/34 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人
主权项 1、一种双离子束共溅射淀积原子层纳米薄膜设备,由真空室、主离子源、辅助离子源、淀积靶、旋转工件台、电子中和器、挡板、复合真空系统和机架组成,其特征在于:所述真空室是卧式或立式圆筒形,安装于机架上方,并与机架下方的复合真空系统相连接;所述主离子源有两个,对称放置于真空室中心垂直轴线两边与真空室水平轴线成34°~38°夹角的斜面上,且主离子源中心轴线与真空室水平轴线成52°~56°夹角;所述淀积靶有两个,对称分布于主离子源中心轴线与真空室水平轴线相交处;所述旋转工件台位于两个淀积靶中心连线的垂直平分线的上方,旋转工件台的下方安装有可通过位于真空室外的手柄调节的挡板;所述辅助离子源安装在真空室的后方正中下部,其中心轴线与真空室中心垂直轴线成40°夹角;所述电子中和器有三个,其中两个位于两个主离子源的下方,另一个位于辅助离子源的上方。
地址 410002湖南省长沙市苏家巷36号