发明名称 | 使用汲极耦合以抑制局部分离浮置闸元件之第二位元效应的方法 | ||
摘要 | 本发明提出一种使用汲极耦合以抑制局部分离浮置闸元件之第二位元效应的方法。藉由适当的设计闸极和汲极重叠的区域,以使汲极耦合系数能被控制,进而在进行逆向读取操作时能有效地抑制第二位元效应。然而,改良过的逆向读取方法,例如"提升源极电压Vs",也可被用来进一步改善汲极耦合效应而没有读取干扰。再者,汲极耦合可以改善通道热电子注入的效率。 | ||
申请公布号 | TW200534478 | 申请公布日期 | 2005.10.16 |
申请号 | TW093135927 | 申请日期 | 2004.11.23 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 吕函庭 |
分类号 | H01L29/00 | 主分类号 | H01L29/00 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |