双波长半导体雷射装置及其制法

摘要

本发明揭示一种双波长半导体雷射装置。该双波长半导体雷射装置包括具有第一及第二区域彼此分隔于其上之第一传导材料基板、形成于该第一区域之上之第一半导体雷射二极体、形成于该第一传导材料基板之该第二区域之上且包括与该第一半导体雷射二极体相同之层膜之非主动层、形成于该非主动层之上之第二半导体雷射二极体，以及形成在至少于该第一及第二半导体雷射二极体之间之侧向传导区域。