| 摘要 |
本发明之一种萧特基屏障接触结构至少包含一个扩散保护环形成于一个磊晶半导体基板之一个所设计的表面部份之内并具有它的外部延伸部份形成于一个成形场氧化物层之下及它的中间部份之一部份形成于一个侧边墙介电垫层之下、一个萧特基接触金属层形成于该侧边墙介电垫层所包围的一个暴露半导体表面之上、以及一个成形金属层形成于该成形场氧化物层的一部份、该侧边墙介电垫层及该萧特基接触金属层之上。该侧边墙介电垫层至少包含一个侧边墙二氧化矽垫层形成于该扩散保护环的一部份之上或一个侧边墙氮化矽或氧氮化矽垫层置于一个热二氧化矽层或一个衬二氧化矽层之上。 |
