发明名称 保护半导体器件的方法及采用这种方法用于半导体器件的保护装置
摘要 一种用于半导体器件的保护装置,包括:DC电源;负载;配置于DC电源和负载间的半导体器件,将负载在驱动状态和停止状态之间切换;比较器,对半导体器件两端的电压降和预定参考电压进行比较;切断单元,当电压降大于预定参考电压时,切断DC电源和负载间的半导体器件的导通。电路元件的常数设置使得参考电压不大于临界电压。这个临界电压为半导体器件为容许温度的上限时的设置的导通电阻和由于焦耳热引起自加热导致沟道温度达到容许温度的上限的最小电流值的乘积。
申请公布号 CN1669118A 申请公布日期 2005.09.14
申请号 CN03816465.5 申请日期 2003.07.10
申请人 矢崎总业株式会社 发明人 大岛俊藏
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 钟强;樊卫民
主权项 1.一种保护半导体器件的方法,包括以下步骤:提供DC电源、负载和配置在DC电源和负载之间的半导体器件;提供连接到半导体器件的电路元件;切换半导体器件,使得负载在驱动状态和停止状态之间改变;当半导体器件两端的电压降超过预定参考电压时,切断DC电源和负载之间的半导体器件的导通;及设置电路元件的常数,使得参考电压不大于临界电压,其中临界电压为半导体器件的沟道温度为容许温度的上限时的半导体器件的导通电阻和由于焦耳热引起自加热导致沟道温度达到容许温度的上限的最小电流值的乘积。
地址 日本国东京都