发明名称 配线基板、显示装置、半导体晶片及电子机器
摘要 本发明目的在于即使使用低电阻值之金属材料形成配线图型之情况下亦可防止该金属配线之腐蚀。解决方法为,于基板7c上形成多数金属配线14e构成配线基板。多数金属配线14e之中于互相邻接之至少一对之间,形成由ITO等导电性氧化物构成之保护配线29。施加于各金属配线14e之电压为V1>V2> V3>V4时,成为阳极侧之金属配线14e与成为阴极侧之金属配线14e之间存在保护配线29,故可防止阳极侧金属配线14e之腐蚀。
申请公布号 TWI239420 申请公布日期 2005.09.11
申请号 TW090125815 申请日期 2001.10.18
申请人 精工爱普生股份有限公司 发明人 有贺泰人;矢田部聪;远藤甲午;原田考人
分类号 G02F1/133 主分类号 G02F1/133
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种配线基板,系于基板上形成多数金属配线的配线基板,其特征为:在上述多数金属配线之中互相邻接之至少一对之间,形成由导电性氧化物构成之保护配线。2.一种配线基板,系具互相连接之一对配线基板要素的配线基板,其特征为具有:形成于上述一对配线基板要素之一方的多数金属配线;及形成于上述一对配线基板要素之另一方,由导电性氧化物构成之至少1个保护配线;上述一对配线基板要素互相连接,俾使上述保护配线位于上述多数金属配线之间。3.如申请专利范围第1或2项之配线基板,其中上述保护配线,系连接于互相邻接之上述一对金属配线中之阳极侧。4.如申请专利范围第1或2项之配线基板,其中上述金属配线上之一部分或全部,积层有与上述保护配线为相同之导电性氧化物。5.如申请专利范围第1或2项之配线基板,其中上述金属配线,系Au、Ag、Pd、Cu、Cr、Al、Nd、Ti之任一或包含其之合金。6.如申请专利范围第1或2项之配线基板,其中上述导电性氧化物,系包含ITO或氧化锡。7.一种配线基板,系具于基板上形成之多数金属配线,及安装于上述基板上之半导体晶片的配线基板,其特征为:于上述多数金属配线之至少一对之间具由导电性氧化物构成之保护配线,该保护配线连接于上述半导体晶片之高电压端子,与该保护配线邻接之上述金属配线则连接于上述半导体晶片之低电压端子。8.一种显示装置,系具备:于有效显示区域内互相面对之多数第1电极,及第2电极,及该第1电极与第2电极所挟持之光电物质,及配置于上述有效显示区域外侧的多数金属配线的显示装置,其特征为:在上述多数金属配线之中互相邻接之至少一对之间及/或上述多数电极之中互相邻接之至少一对之间,设置由导电性氧化物构成之保护配线。9.如申请专利范围第8项之显示装置,其中上述光电物质系液晶;上述多数之第1电极与第2电极,系分别形成于挟持上述液晶互相面对之一对基板之表面;上述一对基板之至少一方,系具备由另一方基板突出之基板突出部;上述金属配线系形成于上述基板突出部。10.如申请专利范围第8项之显示装置,其中上述光电物质,系包含藉通电发光之EL发光层而形成;上述多数第1电极及2第2电极系挟持上述EL发光层依序积层于共通基板上;上述金属配线系形成于上述有效显示区域外侧之上述基板上。11.如申请专利范围第8至10项中任一项之显示装置,其中上述保护配线,系连接于互相邻接之上述一对金属配线或上述一对电极中之阳极侧。12.如申请专利范围第8至10项中任一项之显示装置,其中于上述金属配线上之一部分或全部或者上述电极上之一部分或全部,积层有与上述保护配线为相同之导电性氧化物。13.如申请专利范围第8至10项中任一项之显示装置,其中上述金属配线或上述电极,系Au、Ag、Pd、Cu、Cr、Al、Nd、Ti之任一或包含其之合金。14.如申请专利范围第8至10项中任一项之显示装置,其中上述导电性氧化物,系包含ITO或氧化锡。15.一种电子机器,系具备:显示影像的显示装置,及设于该显示装置之内部及/或外部的配线基板;其特征为:上述配线基板,系于基板上形成多数之金属配线,在上述多数金属配线中互相邻接之至少一对之间形成由导电性氧化物构成之保护配线。图式简单说明:图1:使用本发明之配线基板形成之显示装置之一例之液晶装置之一实施形态之分解状态斜视图。图2:图1之液晶装置之II-II线之侧面断面构造之断面图。图3:图2之液晶装置使用之反射膜之一部分之平面图。图4:图1之液晶装置使用之配线基板,本发明之配线基板之一实施形态之平面图。图5:本发明之配线基板之另一实施形态之平面图。图6:本发明之配线基板之另一实施形态之平面图。图7:本发明之配线基板之另一实施形态之分解状态之平面图,一对之配线基板要素分别显示之图。图8:图7之一对配线基板要素组合状态之平面图。图9:使用本发明之配线基板形成之显示装置之一例之液晶装置之另一实施形态之断面图。图10;图9之液晶装置中作为反射膜机能之电极之一部分之平面图。图11:本发明之配线基板之另一实施形态之平面图。图12:本发明之半导体晶片之一实施形态以及本发明之配线基板之一实施形态之平面图。图13:使用本发明之配线基板形成之显示装置之一例之EL装置之一实施形态之分解状态斜视图。图14:图13之EL装置之XIV-XIV线之侧面断面构造之断面图。图15:本发明之电子机器之一实施形态之方块图。图16;本发明之电子机器之另一实施形态之斜视图。图17:本发明之配线基板之一实施形态之斜视图。
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