发明名称 | 半导体基材构造 | ||
摘要 | 本实用新型公开了一种半导体基材构造,利用填充高分子材料于传统基材的方法来改善基材特性;该半导体基材构造包含有基材,具有穿透孔及沟槽;其中该穿透孔及沟槽内填充有高分子材料及复合材料。本实用新型具有高平整度及切割不易生毛边的优点,且不易变形,增加了产品封装的良率及品质,而使用发光二极管的芯片或一般IC集成电路芯片封装时,会易于达成电子芯片所需的封装需求,而且比公知的基材构造成本低。 | ||
申请公布号 | CN2718778Y | 申请公布日期 | 2005.08.17 |
申请号 | CN200420077984.5 | 申请日期 | 2004.07.21 |
申请人 | 宏齐科技股份有限公司 | 发明人 | 汪秉龙;庄峰辉;黄惠燕 |
分类号 | H01L23/12;H05K1/00 | 主分类号 | H01L23/12 |
代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 梁挥;祁建国 |
主权项 | 1、一种半导体基材构造,其特征在于,包含:基材,具有穿透孔沟槽;该穿透孔沟槽内填充有高分子复合材料;该基材具有导电材料层;该穿透孔槽内的高分子复合材料高度少于该导电材料层。 | ||
地址 | 台湾省新竹市 |