发明名称 半导体薄膜的制造方法及图像显示装置
摘要 本发明公开了一种半导体薄膜的制造方法及图像显示装置,该制造方法是在基板上形成的半导体薄膜的任意区域,通过使激光或上述基板扫描进行激光照射,来形成结晶化了的大致带状晶体,使得晶粒在上述扫描方向上生长,以在与扫描方向大致相同的方向上测量出的上述激光的光束尺寸W(μm)的值x为X轴,以扫描速度Vs(m/s)的值y为Y轴,在这样的XY坐标上,在条件1:上述光束尺寸W大于激光光束的波长,条件2:上述扫描速度Vs小于晶体生长速度的上限,条件3:x×(1/y)<25μs全都成立的区域内进行上述结晶化处理。能得到降低了在结晶化的过程中产生的膜的粗糙度和晶体缺陷的高质量且均质的半导体薄膜。
申请公布号 CN1649089A 申请公布日期 2005.08.03
申请号 CN200410098554.6 申请日期 2004.12.09
申请人 株式会社日立显示器 发明人 波多野睦子;本乡干雄;矢崎秋夫;田井光春;野田刚史;高崎幸男
分类号 H01L21/20;H01L21/00;G02F1/133;G09F9/30;G09G3/36 主分类号 H01L21/20
代理机构 北京市金杜律师事务所 代理人 季向冈
主权项 1.一种半导体薄膜的制造方法,在形成于基板上的半导体薄膜的任意区域,通过使激光或者上述基板扫描进行激光照射,来形成结晶化了的大致带状晶体,使得晶粒在上述扫描方向上生长,其特征在于:以在与扫描方向大致相同的方向上测出的上述激光的光束尺寸W(μm)的值x为X轴、以扫描速度Vs(m/s)的值y为Y轴,在这样的XY坐标上,在下面的(条件1)、(条件2)、(条件3)全部成立的区域内进行上述结晶化处理,(条件1)上述光束尺寸W大于激光光束的波长,(条件2)上述扫描速度Vs小于晶体生长速度的上限,(条件3)x×(1/y)<25μs。
地址 日本千叶县