发明名称 晶体生长工艺中的籽晶方位的控制方法
摘要 本发明涉及一种用于晶体生长工艺中的籽晶方位的控制方法其方法包括下述步骤:(1)选择经晶体定向和加工的籽晶端面为预期生长晶面;(2)将籽晶固定在籽晶夹具的籽晶杆上;再将籽晶夹具固定在单晶生长设备的轴杆上;(3)调节籽晶杆相对于Z轴方向的倾角使籽晶端面与水平基准线的偏差为0-±0.2°;(4)调节籽晶夹具的X、Y位移,使籽晶中心与设备轴杆的旋转中心的偏差为0-±0.2mm;(5)必要时重复上述步骤(3)和(4),直至籽晶端面的方向和中心位置符合晶体生长的要求;其专用装置即用于上述的夹具;本发明既可以调节籽晶的中心位置又可以调节其倾角,并且操作方便、可靠、省时和重复性好。
申请公布号 CN1212432C 申请公布日期 2005.07.27
申请号 CN02125969.0 申请日期 2002.08.07
申请人 中国科学院物理研究所 发明人 周放;吴祖安;遆文新;熊季午;赵忠贤
分类号 C30B35/00;C30B15/32 主分类号 C30B35/00
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人 王凤华
主权项 1、一种用于晶体生长工艺中的籽晶方位的控制方法,包括下述步骤:(1)选择经晶体定向和加工的籽晶,其端面为晶体生长预期的晶面;(2)将选择好的籽晶固定在籽晶夹具的籽晶杆上;再将籽晶夹具固定在单晶生长设备的轴杆上;(3)调节籽晶杆相对于Z轴方向的倾角使籽晶端面与水平基准线的偏差为0-±0.2°;(4)调节籽晶夹具的X、Y方向的位移,使籽晶端面的中心与籽晶夹具固定于其上的设备轴杆的旋转中心的偏差为0-±0.2mm;(5)必要时重复上述步骤(3)和(4),直至籽晶端面的方向和中心位置符合晶体生长的要求。
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