| 主权项 |
1.一种用以产生单侧式内埋带的制造方法,该制造方法之步骤包括:(a)于半导体基板上形成一沟渠电容结构,该沟渠电容结构上有一接触面,该接触面系低于半导体基板表面,故呈现一凹槽;(b)顺势地形成一层绝缘薄膜于该凹槽侧壁上;(c)布植离子进入位于该凹槽侧壁一侧之该绝缘薄膜内,形成一内含布植离子之绝缘薄膜;(d)移除该内含布植离子之绝缘薄膜,至少露出该接触面之部分;(e)形成一内埋带于该凹槽内,而与该接触面之露出部分成电性连接。2.如申请专利范围第1项所述之用以产生单侧式内埋带的制造方法,其中,步骤(b)所形成之绝缘薄膜选自由TEOS、SiO2、SiNx、Si3N4、与SiON所组成之群组。3.如申请专利范围第1项所述之用以产生单侧式内埋带的制造方法,其中,步骤(c)所使用之布植离子种类系选自含有铟、磷、砷、氮、氧与氩所组成之群组。4.如申请专利范围第1项所述之用以产生单侧式内埋带的制造方法,其中,步骤(e)所使用之内埋带的材质系为掺杂过的复晶矽(doped poly-silicon)。5.一种用以产生单侧式内埋带的制造方法,该制造方法之步骤包括:(a)于半导体基板上形成一沟渠电容结构,该沟渠电容结构上有一接触面,该接触面系低于半导体基板表面,故呈现一凹槽;(b)顺势地形成一层绝缘薄膜于该凹槽侧壁上;(c)以斜角入射方式布植离子进入位于该凹槽侧壁一侧之该绝缘薄膜内,形成一内含布植离子之绝缘薄膜;(d)以蚀刻制程移除该内含布植离子之绝缘薄膜,至少露出该接触面之部分;(e)形成一内埋带于该凹槽内,而与该露出接触面成电性连接。6.如申请专利范围第5项所述之用以产生单侧式内埋带的制造方法,其中,步骤(b)所形成之绝缘薄膜选自由TEOS、SiO2、SiNx、Si3N4、与SiON所组成之群组。7.如申请专利范围第5项所述之用以产生单侧式内埋带的制造方法,其中,步骤(c)所使用之布植离子种类系选自含有铟、磷、砷、氮、氧与氩所组成之群组。8.如申请专利范围第5项所述之用以产生单侧式内埋带的制造方法,其中,步骤(e)所使用之内埋带的材质系为掺杂过的复晶矽(doped poly-silicon)。图式简单说明:图1A-1C系显示习知单侧式内埋带之制造方法的剖面流程图;以及图2A-2F系显示根据本发明一较佳实施例之单侧式内埋带制造方法的剖面流程图。 |
