| 发明名称 | 大功率MOS晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种大功率MOS晶体管及其制造方法，多晶硅栅高出硅平面，其制造工艺流程非常简单，在现有的工艺流程基础上，将步骤2、3移到最后两个步骤进行操作，即可实现。本发明通过改善多晶硅栅的形状，即使在器件尺寸缩小以后，仍然能保持一定的多晶硅栅的截面积，栅极的电阻不至于增加，从而保持并改善器件的频率特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1632953A | 申请公布日期 | 2005.06.29 |
| 申请号 | CN200310122683.X | 申请日期 | 2003.12.24 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈志伟;缪进征;居宇涵;李建文 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1.一种大功率MOS晶体管，其特征是多晶硅栅高出硅平面。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东川桥路1188号 | ||