移除深沟渠结构中半球形晶粒矽层之方法

摘要

一种移除深沟渠结构中半球形晶粒矽之方法，其利用一埋藏矽锗层做为蚀刻终止层，并以湿蚀刻制程移除半球形晶粒矽。湿蚀刻制程所用之氢氧化钾／丙酮／水混合液对半球形晶粒矽与埋藏矽锗层的蚀刻速率选择性很高，因此在移除半球形晶粒矽时，不会破坏沟渠侧壁。此外，利用此法制得之沟渠式电容结构，在半球形晶粒矽层与沟渠下半部之间并没有蚀刻终止层，故无储存电容降低的问题。