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<P>L'invention concerne un commutateur SCR vertical destiné à être commandé par un signal haute fréquence, comprenant au moins quatre couches principales alternées. Ce commutateur comprend une borne de gâchette et une borne de référence de gâchette reliées par l'intermédiaire de condensateurs intégrés à des zones correspondantes. Dans le cas d'un thyristor, comprenant du côté de la face avant une zone semiconductrice principale de type P (20) formée dans une zone semiconductrice de gâchette de type N (21), une première portion de la zone principale étant reliée à une des bornes principales (K), une seconde portion de la zone principale est reliée à une des bornes de commande (K2) par l'intermédiaire d'un premier condensateur intégré (Ck), et une portion de la zone de gâchette (G) étant reliée à l'autre des bornes de commande par l'intermédiaire d'un second condensateur intégré (Cg).</P>
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