| 主权项 |
1.一种散热基板,系具有相对向的第1面及第2面并 以铝(Al)为主成分的散热基板,其中, 前述第1面上,于最上层形成有以铜(Cu)、银(Ag)或金 (Au)为主成分的第1金属覆膜, 在除了前述第1金属覆膜之外之区域的前述散热基 板上形成氧化膜。 2.如申请专利范围第1项之散热基板,其中,前述第1 金属覆膜系由电镀膜而成。 3.如申请专利范围第1项或第2项之散热基板,其中, 前述散热基板的上方实装有半导体装置,且在该半 导体装置之背面设置有以焊材、导电糊质或热传 导性优良的固接剂所固接之金属体。 4.如申请专利范围第3项之散热基板,其中,前述半 导体装置系以电性连接的方式实装于电子机器,且 将前述第2面加工为可与由金属而成的前述电子机 器之构成要素进行面接触。 5.一种半导体模组,系具有:将半导体元件以正装方 式与绝缘性树脂一体封装,且于其背面露出与前述 半导体元件之接合电极作电性连接的焊垫及位于 前述半导体元件之背面的岛区的半导体装置;以及 具有相对向的第1面及第2面并以铝(Al)为主成分的 散热基板,其中, 在前述第1面上,于最上层形成有以铜(Cu)、银(Ag)或 金(Au)为主材料并由电镀形成的第1金属覆膜,且前 述第1金属覆膜与前述岛区系以焊材、导电糊质或 热传导性优良的固接剂所固接。 6.如申请专利范围第5项之半导体模组,其中,于前 述岛区与前述第1金属覆膜之间,固接有以铜(Cu)为 主成分的金属板。 7.如申请专利范围第6项之半导体模组,其中,前述 岛区与前述金属板系藉由蚀刻加工而一体形成。 8.如申请专利范围第5项之半导体模组,其中,前述 半导体元件之背面系固接于前述金属板。 9.如申请专利范围第5项之半导体模组,其中,前述 焊垫之背面与前述岛区之背面系配置于实质同一 平面上。 10.如申请专利范围第8项之半导体模组,其中,前述 焊垫之背面与前述半导体元件之背面系配置于实 质同一平面上。 11.如申请专利范围第9项或第10项之半导体模组,其 中,前述绝缘性树脂之背面系较前述焊垫之背面更 为突出。 12.如申请专利范围第11项之半导体模组,其中,前述 焊垫之侧面与从前述焊垫之侧面延伸的前述绝缘 性树脂之背面,系形成同一曲面。 13.如申请专利范围第12项之半导体模组,其中,于前 述半导体装置与前述散热基板之间,设置有与前述 半导体装置作电性连接且具有导电图案的软性薄 片,并于前述岛区所对应的软性薄片设置有开口部 。 14.一种半导体模组,系具有:将半导体元件以倒装 的方式与绝缘性树脂一体封装,且于其背面露出与 前述半导体元件之接合电极作电性连接的焊垫及 位于前述半导体元件之背面的散热用电极的半导 体装置;以及 具有相对向的第1面及第2面并以铝(Al)为主成分的 散热基板,其中, 在前述第1面上,于最上层形成有以铜(Cu)、银(Ag)或 金(Au)为主材料并由电镀形成的第1金属覆膜,且前 述第1金属覆膜与前述散热用电极系以焊材、导电 糊质或热传导性优良的固接剂所固接。 15.如申请专利范围第14项之半导体模组,其中,于前 述散热用电极与前述第1金属覆膜之间,固接有以 铜(Cu)为主成分的金属板。 16.如申请专利范围第14项之半导体模组,其中,前述 散热用电极与前述金属板系藉由蚀刻加工而一体 形成。 17.如申请专利范围第14项至第16项中任一项之半导 体模组,其中,前述焊垫之背面与前述散热用电极 之背面系配置于实质同一平面上。 18.如申请专利范围第17项之半导体模组,其中,前述 绝缘性树脂之背面系较前述焊垫之背面更为突出 。 19.如申请专利范围第18项之半导体模组,其中,前述 焊垫之侧面与从前述焊垫之侧面延伸的前述绝缘 性树脂之背面,系形成同一曲面。 20.如申请专利范围第19项之半导体模组,其中,于前 述半导体装置及前述散热基板之间,设置有与前述 半导体装置作电性连接且具有导电图案的软性薄 片,并于前述散热用电极所对应的软性薄片设置有 开口部。 21.一种半导体模组,系具有:将半导体元件以正装 的方式与绝缘性树脂一体封装,且于前述绝缘性树 脂之背面露出与前述半导体元件之接合电极作电 性连接的引线以及背面为经与前述引线之背面按 面位置之方式所形成的岛区的半导体装置;以及 具有相对向的第1面及第2面并以铝(Al)为主成分的 散热基板,其中, 在前述第1面上,于最上层形成有以铜(Cu)、银(Ag)或 金(Au)为主材料并由电镀形成的第1金属覆膜,且前 述第1金属覆膜与前述岛区系以焊材、导电糊质或 热传导性优良的固接剂所固接。 22.如申请专利范围第21项之半导体模组,其中,于前 述岛区与前述第1金属覆膜之间,固接有以铜(Cu)为 主成分的金属板。 23.如申请专利范围第22项之半导体模组,其中,于前 述半导体装置与前述散热基板之间,设置有与前述 半导体装置作电性连接且具有导电图案的软性薄 片,并于前述岛区所对应的软性薄片设置有开口部 。 24.如申请专利范围第13项之半导体模组,其中,前述 半导体元件系为硬碟之读写放大用IC。 25.如申请专利范围第20项之半导体模组,其中,前述 半导体元件系为硬碟之读写放大用IC。 26.如申请专利范围第23项之半导体模组,其中,前述 半导体元件系为硬碟之读写放大用IC。 27.如申请专利范围第13项之半导体模组,其中,前述 半导体装置系以电性连接的方式实装于电子机器, 且将前述第2面加工为可与由金属而成的前述电子 机器之构成要素进行面接触。 28.如申请专利范围第20项之半导体模组,其中,前述 半导体装置系以电性连接的方式实装于电子机器, 且将前述第2面加工为可与由金属而成的前述电子 机器之构成要素进行面接触。 29.如申请专利范围第23项之半导体模组,其中,前述 半导体装置系以电性连接的方式实装于电子机器, 且将前述第2面加工为可与由金属而成的前述电子 机器之构成要素进行面接触。 30.一种硬碟,系将申请专利范围第5项至第29项中任 一项之半导体模组实装于箱体之内部。 图式简单说明: 第1图(A)及(B)系用以说明本发明之半导体模组的图 。 第2图(A)及(B)系用以说明本发明之半导体装置的图 。 第3图(A)及(B)系用以说明本发明之半导体装置的图 。 第4图(A)至(C)系用以说明本发明之半导体装置的图 。 第5图系用以说明本发明之半导体模组的图。 第6图(A)及(B)系用以说明本发明之半导体装置的图 。 第7图(A)及(B)系用以说明本发明之半导体装置的图 。 第8图(A)至(C)系用以说明本发明之半导体装置的图 。 第9图系用以说明本发明之半导体模组的图。 第10图系用以说明本发明之半导体装置的图。 第11图系用以说明本发明之半导体装置的图。 第12图系用以说明本发明之半导体装置之制造方 法的图。 第13图系用以说明本发明之半导体装置之制造方 法的图。 第14图系用以说明本发明之半导体装置之制造方 法的图。 第15图系用以说明本发明之半导体装置之制造方 法的图。 第16图系用以说明本发明之半导体装置之制造方 法的图。 第17图系用以说明本发明之半导体装置之制造方 法的图。 第18图系用以说明本发明之半导体装置之制造方 法的图。 第19图系用以说明本发明之半导体装置之制造方 法的图。 第20图系用以说明硬碟的图。 第21图(A)及(B)系用以说明第20图所采用之习知半导 体模组的图。 |
