发明名称 | 盐改性的静电消散的聚合物组合物及其应用 | ||
摘要 | 低分子量聚醚低聚物在聚醚低聚合物的扩链反应期间用盐改性由此形成静电消散聚合物产品,如聚氨酯、聚醚酰相当低的表面和体积电阻率,并且其静态衰减时间不太快或不太慢,且没过量的可提取阴离子,特别是氯阴离子、硝酸根阴离子、磷酸根阴离子和硫酸根阴离子。这些静电消散聚合物可与各种基础聚合物共混形成塑料合金,其可接着用于形成可用于制造静电敏感电子元件的制品。 | ||
申请公布号 | CN1185290C | 申请公布日期 | 2005.01.19 |
申请号 | CN99811130.9 | 申请日期 | 1999.09.16 |
申请人 | 诺沃恩IP控股公司 | 发明人 | Y·艾克斯坦;R·拉维克兰 |
分类号 | C08K3/00;H01L23/60 | 主分类号 | C08K3/00 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李勇 |
主权项 | 1.一种聚合物组合物,它包括:100重量份的选自热塑性聚氨酯、聚醚酰胺嵌段共聚物和聚醚-酯嵌段共聚物的至少一种聚合物;基于100重量份所述聚合物计,至少0.1重量份至少一种选自三氟甲烷磺酰亚胺锂、LiPF6,Li5O3CF3,LiC(SO2CF3)3,和LiMR4的盐,其中M是Al或B,R是卤素、烷基或芳基;和基于100重量份所述聚合物,至少0.1重量份选自碳酸亚乙酯、碳酸丙二醇酯、二甲亚砜、四氢噻吩砜、三和四-乙二醇二甲基醚、γ-丁内酯和N-甲基-2-吡咯烷酮的至少一种共溶剂;并且所述聚合物组合物的表面电阻率由ASTM D-257测定为1.0×106欧姆/平方至1.0×1010欧姆/平方,并且所述聚合物组合物的体积电阻率由ASTM D-257测定为1.0×106欧姆·cm至1.0×1010欧姆cm;所述聚合物组合物具有低于8000ppb的氯阴离子、硝酸根阴离子、磷酸根阴离子和硫酸根阴离子的所有四种可提取阴离子总量,和低于1000ppb的所述氯阴离子、低于100ppb的所述硝酸根阴离子、低于6000ppb的所述磷酸根阴离子、和低于1000ppb的所述硫酸根阴离子。 | ||
地址 | 美国俄亥俄州 |