发明名称 | 低压场发射阴极X射线管 | ||
摘要 | 本发明涉及X射线管,具体地说是一种低压场发射阴极X射线管。本发明场发射阴极为绳束状纳米碳管以阵列方式装配于导电基片上,其轴线与导电基片的表面垂直;所述加压阳极平行布置于绳束状纳米碳管阵列的正上方,于支撑体上;支撑体为开口筒状结构,筒体下端安装于导电基片边缘,作为电子束聚焦窗口的上端为瓶颈式结构,导电基片及筒体分别设引出极A、B,通过导线至外加电源。它可大幅度降低X射线管的工作电压,实现X射线成像系统小型化、微型化,并提高分辨率,从而在医疗、科研及国防安全等领域发挥更大作用。 | ||
申请公布号 | CN1553473A | 申请公布日期 | 2004.12.08 |
申请号 | CN03133383.4 | 申请日期 | 2003.05.26 |
申请人 | 中国科学院金属研究所 | 发明人 | 成会明;佟钰;刘畅;赵志刚 |
分类号 | H01J35/06;H01J35/04 | 主分类号 | H01J35/06 |
代理机构 | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人 | 许宗富;周秀梅 |
主权项 | 1.一种低压场发射阴极X射线管,靶材可为固定式或旋转阳极式,选用铜、钼、钨等材料制成,电子源则由加压栅极与纳米碳管场发射阴极所组成,安装在管壳内;其特征在于:所述场发射阴极为绳束状纳米碳管以阵列方式装配于导电基片(5)上,其轴线与导电基片(5)的表面垂直;所述加压阳极平行布置于绳束状纳米碳管阵列的正上方,于支撑体(3)上;支撑体(3)为开口筒状结构,筒体下端安装于导电基片(5)边缘,作为电子束聚焦窗口(10)的上端为瓶颈式结构,导电基片(5)及筒体分别设引出极A、B(7、8),通过导线至外加电源。 | ||
地址 | 110016辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 |