半导体装置之制造方法

摘要

本发明系关于一种用以形成半导体元件之储存节点的方法。该方法包含下列步骤：(a)形成许多位元线图案，其各自包含依序堆叠在基板结构表面上之导线和硬式遮罩；(b)沿着包含位元线图案之纵深，依序形成第一障壁层和第一层间绝缘层，直到填满位元线图案之间的空间；(c)蚀刻第一层间绝缘层，直到在位元线图案之间的各空间上，剩余部分的第一层间绝缘层；(d)在第一层间绝缘层和第一障壁层之上，形成第二障壁层；及(e)蚀刻第一和第二障壁层和剩余的第一层间绝缘层，以曝露位在位元线图案之间之基板结构的表面。