发明名称 Anordnung zur Realisierung einer stark dotierten vergrabenen epitaktischen Schicht
摘要
申请公布号 DE19953333(B4) 申请公布日期 2004.07.15
申请号 DE19991053333 申请日期 1999.11.05
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 NELLE, PETER;SCHAEFER, HERBERT;VIETZKE, DIRK;STECHER, MATTHIAS;BAUMGARTL, JOHANNES;PERI, HERMANN
分类号 H01L21/74;H01L21/761;(IPC1-7):H01L29/06 主分类号 H01L21/74
代理机构 代理人
主权项
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