| 发明名称 | 部分区域玻璃化的SiO<SUB>2</SUB>成形体、其制造方法及用途 | ||
| 摘要 | 一种制造部分区域或完全玻璃化SiO<SUB>2</SUB>成形体的方法，其中无定形、多孔性SiO<SUB>2</SUB>成形体是借助于辐射，利用无接触加热而烧结或玻璃化，并避免外来原子对该SiO<SUB>2</SUB>成形体造成污染，而且所用辐射是低于1000毫巴的低于大气压的压力下的激光光束。 | ||
| 申请公布号 | CN1510001A | 申请公布日期 | 2004.07.07 |
| 申请号 | CN200310121528.6 | 申请日期 | 2003.12.19 |
| 申请人 | 瓦克化学有限公司 | 发明人 | 弗里茨·施韦特费格;阿克塞尔·弗劳恩克内希特;延斯·京斯特;斯文·恩格勒;于尔根·海因里希 |
| 分类号 | C03B8/00;C03B19/00;C03B20/00;C30B15/00 | 主分类号 | C03B8/00 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 1、一种制造部分区域或完全玻璃化的SiO2成形体的方法，其中无定形、多孔性SiO2坏体是借助于辐射、利用无接触加热而烧结或玻璃化，并避免外来原子对该SiO2成形体造成污染，其特征在于所用辐射是低于1000毫巴的低压下的激光光束。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||