发明名称 可消除杂讯之探测头
摘要 一种可消除离讯之探测头,其包含有一基板、一接地导电层、一介电层及复数个连接垫,该接地导电层系形成于该基板之一表面,该介电层系设于该接地导电层与该些连接垫之间,使得该接地导电层与该些连接垫之间形成有一间隔,以构成一内建旁路电容,达到高密度探测时消除杂讯之功效。五、(一)、本案代表图为:第__1__图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明:10 基板11 表面20 接地导电层 30 介电层 40 连接垫50 探触端 51支柱层 52 接触层60 弹性块 D 间隔
申请公布号 TW586627 申请公布日期 2004.05.01
申请号 TW092205599 申请日期 2003.04.08
申请人 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 CHIPMOS TECHNOLOGIES(BERMUDA)., LTD. 英国 发明人 刘安鸿;王永和
分类号 G01R1/06 主分类号 G01R1/06
代理机构 代理人 张启威 高雄市左营区立文路七十七号十六楼之二
主权项 1.一种可消除杂讯之探测头,包含:一基板,具有一表面;一接地导电层,形成于该基板之该表面;一介电层,覆盖于该接地导电层;及复数个连接垫,形成于该介电层上,且该些连接垫系与该接地导电层之间形成有一间隔,以构成一内建旁路电容[internal by-pass capacitor]。2.如申请专利范围第1项所述之可消除杂讯之探测头,其另包含有复数个探触端,其系接合于该些连接垫,用以探触待测积体电路。3.如申请专利范围第1项所述之可消除杂讯之探测头,其中该基板系为矽基板。4.如申请专利范围第1项所述之可消除杂讯之探测头,其中该接地导电层系为金箔层。5.如申请专利范围第1项所述之可消除杂讯之探测头,其中该介电层之厚度系介于0.1~10m之间。6.如申请专利范围第1项所述之可消除杂讯之探测头,其中该介电层系为聚亚醯胺、二氧化矽或氮化矽。图式简单说明:第1图:本创作之可消除杂讯之探测头之截面示意图。
地址 新竹市新竹科学工业园区研发一路一号
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