| 主权项 |
1.一种氮化铝质陶瓷,其特征在于:含有硼原子0.5~10 重量%、碳原子0.1 ~2.5重量%,在室温下的体积电阻 系数为11014cm以上。2.如申请专利范围第1项 所述的氮化铝质陶瓷,其中在500℃下的体积电阻系 数为1108cm以上。3.一种氮化铝质陶瓷,其特征 在于:含有硼原子0.5~10重量%、碳原子0.1 ~2.5重量%, 在500℃下的体积电阻系数为1108cm以上。4.如 申请专利范围第1.2或3项所述的氮化铝质陶瓷,其 中氮化铝的晶格常数之a轴长为3.112以上,c轴长 为4.980以上。5.如申请专利范围第1.2或3项所述 的氮化铝质陶瓷,其中碳原子与硼原子的比率(C/B) 为重量比0.1以上、0.5以下。6.如申请专利范围第4 项所述的氮化铝质陶瓷,其中碳原子与硼原子的比 率(C/B)为重量比0.1以上、0.5以下。7.一种氮化铝质 陶瓷,其特征在于:含有硼原子0.5~10重量%、碳原子0 .1 ~2.5重量%,氮化铝的晶格常数之a轴长为3.112以 上,c轴长为4.980以上。8.如申请专利范围第1.2.3 或7项所述的氮化铝质陶瓷,其中在700℃下的体积 电阻系数为1107cm以上。9.如申请专利范围第4 项所述的氮化铝质陶瓷,其中在700℃下的体积电阻 系数为1107cm以上。10.如申请专利范围第1.2.3 或7项所述的氮化铝质陶瓷,其中含有稀土元素0.1~ 10重量%。11.如申请专利范围第4项所述的氮化铝质 陶瓷,其中含有稀土元素0.1 ~10重量%。12.如申请专 利范围第1.2.3或7项所述的氮化铝质陶瓷,其中开孔 率为0.1%以下。13.如申请专利范围第4项所述的氮 化铝质陶瓷,其中开孔率为0.1%以下。14.如申请专 利范围第1.2.3或7项所述的氮化铝质陶瓷,其中导热 系数为30W/m.K以上。15.如申请专利范围第4项所述 的氮化铝质陶瓷,其中导热系数为30W/m.K以上。16. 如申请专利范围第1.2.3或7项所述的氮化铝质陶瓷, 其中系烧结体。17.如申请专利范围第4项所述的氮 化铝质陶瓷,其中系烧结体。18.如申请专利范围第 16项所述的氮化铝质陶瓷,其中具有以氮化硼为主 体的晶间相。19.一种氮化铝质陶瓷,其特征在于: 藉由至少对氮化铝与碳化硼的混合物加以烧结而 得到,在室温下的体积电阻系数为11014cm以上 。20.一种氮化铝质陶瓷,其特征在于:藉由至少对 氮化铝与碳化硼的混合物加以烧结而得到,在500℃ 下的体积电阻系数为1108cm以上。21.如申请专 利范围第19项所述的氮化铝质陶瓷,其中含有硼原 子0.5~10重量%、碳原子0.1~2.5重量%。22.如申请专利 范围第20项所述的氮化铝质陶瓷,其中含有硼原子0 .5~10重量%、碳原子0.1~2.5重量%。23.如申请专利范 围第19.20.21或22项所述的氮化铝质陶瓷,其中碳原 子与硼原子的比率(C/B)为重量比0.1以上、0.5以下 。24.如申请专利范围第19.20.21或22项所述的氮化铝 质陶瓷,其中氮化铝的晶格常数之a轴长为3.112以 上,c轴长为4.980以上。25.如申请专利范围第19.20. 21或22项所述的氮化铝质陶瓷,其中在700℃下的体 积电阻系数为1107cm以上。26.如申请专利范围 第19.20.21或22项所述的氮化铝质陶瓷,其中含有稀 土元素0.1~10重量%。27.如申请专利范围第19.20.21或 22项所述的氮化铝质陶瓷,其中开孔率为0.1%以下。 28.如申请专利范围第19.20.21或22项所述的氮化铝质 陶瓷,其中导热系数为30W/m.K以上。29.如申请专利 范围第19.20.21或22项所述的氮化铝质陶瓷,其中具 有以氮化硼为主体的晶间相。30.如申请专利范围 第1.2.3.7.19.20.21或22项所述的氮化铝质陶瓷,其中氮 化铝粒子内的固溶氧量(a重量%)对前述氮化铝质陶 瓷的碳含量(b重量%)之比率(a/b)为0.25以上、2.0以下 。31.如申请专利范围第4项所述的氮化铝质陶瓷, 其中氮化铝粒子内的固溶氧量(a重量%)对前述氮化 铝质陶瓷的碳含量(b重量%)之比率(a/b)为0.25以上、 2.0以下。32.如申请专利范围第1.2.3.7.19.20.21或22项 所述的氮化铝质陶瓷,其中氮化铝粒子内的固溶氧 量为0.5重量%以下。33.如申请专利范围第4项所述 的氮化铝质陶瓷,其中氮化铝粒子内的固溶氧量为 0.5重量%以下。34.如申请专利范围第30项所述的氮 化铝质陶瓷,其中氮化铝粒子内的固溶氧量为0.5重 量%以下。35.如申请专利范围第31项所述的氮化铝 质陶瓷,其中氮化铝粒子内的固溶氧量为0.5重量% 以下。36.一种半导体制造用构件,其特征在于:至 少一部分系由如申请专利范围第1.2.3.7.19.20.21或22 项所述的氮化铝质陶瓷所构成。37.一种半导体制 造用构件,其特征在于:至少一部分系由如申请专 利范围第4项所述的氮化铝质陶瓷所构成。38.一种 半导体制造用构件,其特征在于:至少一部分系由 如申请专利范围第34项所述的氮化铝质陶瓷所构 成。39.如申请专利范围第36项所述的半导体制造 用构件,其中具有由前述氮化铝质陶瓷所制成的基 材、以及埋设于此基材中的金属构件。40.如申请 专利范围第39项所述的半导体制造用构件,其中前 述金属构件至少包括静电吸盘电极。41.如申请专 利范围第39项所述的半导体制造用构件,其中前述 金属构件至少包括电阻式发热元件。42.一种耐腐 蚀性构件,其特征在于:由如申请专利范围第1.2.3.7. 19.20.21或22项所述的氮化铝质陶瓷所制成。43.一种 耐腐蚀性构件,其特征在于:由如申请专利范围第4 项所述的氮化铝质陶瓷所制成。44.一种耐腐蚀性 构件,其特征在于:由如申请专利范围第34项所述的 氮化铝质陶瓷所制成。图式简单说明: 【第1图】系表示实施例1.3及比较例1的试样之体 积电阻系数的温度依存性之曲线图。 【第2图】系表示基于EPMA之实施例1的试样中的B、 C、O、N、Y之分布。 【第3图】系表示基于EPMA之比较例5的试样中的B、 C、O、N、Y之分布。 【第4图】系表示各实施例、比较例的晶格常数之 a轴长及c轴长。 |
