应变补偿之半导体结构及其制造方法

摘要

本案提供半导体结构及其制造方法，其含具有第一同平面不应变晶格常数之基板和在基板上由第一半导体材料构成且具有与第一同平面不应变晶格常数不同之第二同平面不应用晶格常数之第一层，以及由配置于基板与第一层两者间之第二半导体材料所构成之可变失配层。该可变失配层经配置成将第一层中之应力减低至由第一层直接于基板上生成时所致应力之位准以下。该可变失配层可以是具有与第一层不应变晶格常数大致匹配之应变同平面晶格常数之层。