| 主权项 |
1.一种覆晶封装结构,包括:一晶片,该晶片具有一主动区域,而该主动区域上配置有复数个焊垫以及一用以保护该晶片表面并将该些焊垫暴露之保护层;复数个焊料金属垫,该些焊料金属垫配置于该些焊垫上,其中每一该些焊料金属垫包括一附着层以及一第一镍薄膜;一封装基材,该封装基材上配置有复数个连接垫;复数个含锡凸块,配置于该些焊垫与该些连接垫间,以使该些焊垫与该些连接垫电性连接;一自生成介金属化合物,该自生成介金属化合物系于该些镍薄膜与该些含锡凸块之间自行生成;以及一填胶底材,配置于该晶片与该封装基材之间,并将该些含锡凸块包覆。2.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装结构,其中该些焊垫包括铜垫、铝垫。3.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装结构,其中该些连接垫包括铜垫。4.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装结构,其中该些铜垫上更配置有一第二镍薄膜。5.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装结构,其中接近该些第一镍薄膜之该自生成介金属化合物系为Cu6Sn5。6.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装结构,其中接近该些含锡凸块之该自生成介金属化合物系为(Cu,Ni)6Sn5。7.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装结构,其中该些附着层之材质包括铬。8.一种覆晶封装制程,包括:提供一晶片,该晶片具有一主动区域,而该主动区域上配置有复数个焊垫以及一用以保护该晶片表面并将该些焊垫暴露之保护层;形成复数个焊料金属垫于该些焊垫上,每一该些焊料金属垫包括一附着层以及一第一镍薄膜;形成复数个掺杂有铜微粒之含锡焊料于该些焊料金属垫上:提供一封装基材,该封装基材上具有复数个连接垫;将该晶片与该封装基材对位并回焊,以形成复数个含锡凸块,并于该些第一镍薄膜与该些含锡凸块之间形成一自生成介金属化合物;以及形成一底填胶材于该晶片与该封装基材之间,并将该些含锡凸块包覆。9.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装制程,其中接近该些第一镍薄膜之该自生成介金属化合物系为Cu6Sn5。10.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装制程,其中接近该些含锡凸块之该自生成介金属化合物系为(Cu,Ni)6Sn5。11.如申请专利范围第8项所述之覆晶封装制程,其中该掺杂有铜微粒之含锡焊料的形成方式包括网印。12.一种覆晶封装制程,包括:提供一晶片,该晶片具有一主动区域,而该主动区域上配置有复数个焊垫以及一用以保护该晶片表面并将该些焊垫暴露之保护层;形成复数个焊料金属垫于该些焊垫上,每一该些焊料金属垫包括一附着层以及一第一镍薄膜;形成复数个掺杂有铜微粒之含锡焊料于该些焊料金属垫上:提供一封装基材,该封装基材上具有复数个铜垫,而每一该些铜垫上配置有一第二镍薄膜;于该第二镍薄膜形成一开口以将该些铜垫暴露;将该晶片与该封装基材对位并回焊,以形成复数个含锡凸块,并于该些第一镍薄膜与该些含锡凸块之间形成一自生成介金属化合物;以及形成一底填胶材于该晶片与该封装基材之间,并将该些含锡凸块包覆。13.如申请专利范围第12项所述之覆晶封装制程,其中接近该些第一镍薄膜之该自生成介金属化合物系为Cu6Sn5。14.如申请专利范围第12项所述之覆晶封装制程,其中接近该些含锡凸块之该自生成介金属化合物系为(Cu,Ni)6Sn5。15.如申请专利范围第12项所述之覆晶封装制程,其中该掺杂有铜微粒之含锡焊料的形成方式包括网印。16.一种焊料金属垫剥离现象的抑制方法,适于强化一含锡焊料与一焊料金属垫组回焊后之接合强度,该抑制方法包括:提供铜原子于该含锡焊料中;以及回焊该含锡焊料,以于该含锡焊料与该焊料金属垫之间形成一自生成介金属化合物,藉由该自生成介金属化合物抑制该焊料金属垫的剥离现象。17.如申请专利范围第16项所述之焊料金属垫剥离现象的抑制方法,其中接近该些第一镍薄膜之该自生成介金属化合物系为Cu6Sn5。18.如申请专利范围第16项所述之焊料金属垫剥离现象的抑制方法,其中接近该些含锡凸块之该自生成介金属化合物系为(Cu,Ni)6Sn5。19.如申请专利范围第16项所述之焊料金属垫剥离现象的抑制方法,其中该含锡焊料包括含锡焊料。20.如申请专利范围第16项所述之焊料金属垫剥离现象的抑制方法,其中该焊料金属垫主要系由一附着层与一镍薄膜所构成,其中该镍薄膜系与该含锡焊料接触。图式简单说明:第1图绘示为习知覆晶封装结构之剖面示意图;第2图绘示为依照本发明第一实施例覆晶封装的流程图;第3图绘示为依照本发明第一实施例藉由掺杂有铜微粒之含锡焊料,以抑制焊料金属垫剥离现象的示意图;第4图绘示为第3图中掺杂有铜微粒之含锡焊料经过回焊之后,焊料金属垫与含锡凸块介面的示意图;第5图绘示为依照本发明第二实施例覆晶封装的流程图;第6图绘示为依照本发明第二实施例于含锡焊料之封装基材端提供一铜原子来源,以抑制焊料金属垫剥离现象的示意图;以及第7图绘示为第6图中含锡焊料经过回焊之后,焊料金属垫与含锡凸块介面的示意图。 |
