非挥发性存储器结构及其制造方法

摘要

在本发明的非挥发性存储器中，选择闸是形成于浮动/控制闸堆叠的侧壁上方的自对准间壁，利用同一个遮罩(1710)可以进行从源极线(144)上方移除选择闸层、蚀刻在源极线区域内的沟槽绝缘层、掺杂源极线等步骤，这种存储器可以形成于独立的基板区域内部或上方，在蚀刻沟槽绝缘层之前可以至少部分掺杂源极线，借此隔离基板区域与下方结构，以避免短路；这种存储器可以区块(sector)抹除；或是执行晶片抹除操作以并联抹除所有的胞元；周边电晶体闸极和选择闸可以由同一层形成，选择闸间壁有延伸物，可以自上方金属线作成低电阻接触；至于在机械或化学机械研磨上方绝缘层时，利用相邻的虚置结构可以保护半导体基板上方的电路元件。

主权项

1、一种制造包含非挥发性存储器的集成电路的方法，该方法至少包括：(a)于一半导体区域S1之上形成一第一层，其中该集成电路包括复数个非挥发性记忆胞元，每一该些记忆胞元包括有一由部分该第一层所形一成的浮动闸；(b)经由该第一层的闸口在该半导体区域S1内形成复数个沟槽，并以绝缘材料填充该些沟槽；(c)于该半导体区域S1之上形成一第一层，其中每一该些胞元包含有一由部分该第二层所形成的导电闸，该导电闸与该些胞元的该浮动闸隔离；(d)图案化该第二层，以形成伸向一预定方向的长条，每一该长条横跨复数个该些沟槽；(e)移除未被该第一层覆盖的该半导体区域S1上的部分该第一层，以形成复数个第一结构，每一该些第一结构包含一由该第二层所形成的长条，并包含该长条下方的部分该第一层，每一该些第一结构有一第一侧壁；(f)于该第一层与该第二层之上形成一第三层，并以包含非等向性蚀刻的制程移除部分该第三层，使于每一该些第一结构的至少部分该第一侧壁上形成一间壁，其中每一该间壁与该相应第一结构中的该第一层及该第二层的材料隔离；(g)移除部分该半导体区域S1上的部分该第三层，但不完全移除该间壁。其中每一该些胞元包含有一由该第一结构的该第一侧壁上的部分间壁所形成的导电闸；以及(h)于至少部分该半导体区域S1内掺入掺杂物；其中步骤(g)和(h)使用在步骤(g)前的单一微影遮罩操作进行的。