发明名称 Waferebenengehäuse mit Siliziumdichtung
摘要 Eine Dichtung umfaßt eine hermetisch abgedichtete Umgebung zwischen einem Abdeckungswafer und einem Basiswafer. Die Dichtung ist unter Verwendung von Verbindungsmaterial mit dem Basiswafer verbunden. Das Verbindungsmaterial kann eine oder mehrere von vielen Substanzen sein, die annehmbare Haftung, Abdichtung und andere Eigenschaften zeigen, die eine hermetisch abgedichtete Umgebung sicherstellen. Die Dichtung wird von dem Abdeckungswafermaterial selbst gebildet. Der Abdeckungswafer ist typischerweise aus äußerst starkem und starrem Material, wie z. B. Silizium, hergestellt. Da die Dichtung von dem Abdeckungswafer hergestellt wird, ist die Dichtung selbst ebenfalls äußerst stark und starr.
申请公布号 DE10241344(A1) 申请公布日期 2003.07.10
申请号 DE2002141344 申请日期 2002.09.06
申请人 AGILENT TECHNOLOGIES, INC. (N.D.GES.D.STAATES DELAWARE) 发明人 GEEFAY, FRANK S.;GAN, QING;MATTOS, ANN;FIGUEREDO, DOMINGO A.
分类号 H01L23/02;B81B7/00;H01L21/50;H01L23/10;(IPC1-7):H01L21/58;H01L23/04 主分类号 H01L23/02
代理机构 代理人
主权项
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