发明名称 SELF-ALIGNMENT TYPE METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELL HAVING EDGE DIRECTED IN HORIZONTAL DIRECTION AND MEMORY ARRAY MANUFACTURING BY THE SAME
摘要
申请公布号 KR20030057420(A) 申请公布日期 2003.07.04
申请号 KR20020084889 申请日期 2002.12.27
申请人 发明人
分类号 H01L27/115;H01L21/8247;H01L29/423;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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